原装场效应管 IRFS4229PBF D2-Pak
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | IR/国际整流器 | |
| 型号： | IRFS4229PBF | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | MW/微波 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | ALGaAS铝镓砷 | |
| 开启电压： | 33（V） | |
| 夹断电压： | 22（V） | |
| 跨导： | 33（μS） | |
| 极间电容： | 22（pF） | |
| 低频噪声系数： | 22（dB） | |
| 漏极电流： | 33（mA） | |
| 耗散功率： | 44（mW） |
原装场效应管 IRFS4229PBF D2-Pak
原装场效应管 IRFS4229PBF D2-Pak
IRFS4229PBF产品规格 参数
Datasheets IRFS4229PBF
Product Photos D2PAK, TO-263
Standard Package 50
Category Discrete Semiconductor Products
Family FETs - Single
Series HEXFET®
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 48 mOhm @ 26A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 45A
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 110nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 4560pF @ 25V
Power - Max 330W
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package D2PAK
Packaging Tube
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 陈义伟
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仙童代理分销 FQP6P25 P沟道增强场效应管
信息内容：dzsc/18/8728/18872813.jpg制造商: Fairchild Semiconductor 产品种类: MOSFET 功率 RoHS: 详细信息 配置: Single 晶体管极性: P-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 1.1 Ohms 正向跨导 gFS（值/最小值） : 3.3 S 汲极/源极击穿电压: - 250 V 闸/源击穿电压: +/- 30 V 漏极连续电流: 6 A 功率耗散: 90 W 工作温度: + 150 C 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-220AB 封装: Tube 最小工作温度: - 55 C Standard Pack Qty: 50 零件号别名: FQP6P25_NL
IR原装集成块场效应管 G4PF50W IRG4PF50WPBF
信息内容：IR原装集成块场效应管 G4PF50W IRG4PF50WPBF IR原装集成块场效应管 G4PF50W IRG4PF50WPBF G4PF50W IRG4PF50WPBF产品规格 参数 数据列表 IRG4PF50WPbF 产品相片 TO-247-3 产品目录绘图 IRG Series CircuitIR Transistor TO-247AC 标准包装 25类别 分离式半导体产品家庭 IGBT - 单路系列 -IGBT 类型 - 电压 - 集电极发射极击穿（） 900V Vge, Ic时的Vce（开） 2.7V @ 15V, 28A 电流 - 集电极 (Ic)（） 51A 功率 - 200W 输入类型 标准型 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-247-3 供应商设备封装 TO-247AC 包装 散装 产品目录页面 1516 (CN2011-ZH PDF) 其它名称 *IRG4PF50WPBF
