供应ST 汽车电子用功率MOS—— VNS3NV04DTR-E
| 价 格： | 5.30 | |
| 品牌/商标： | ST/意法 | |
| 型号/规格： | VNS3NV04DTR-E | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 夹断电压： | 40（V） | |
| 跨导： | 5000（μS） | |
| 极间电容： | 150（pF） | |
| 漏极电流： | 3500（mA） | |
| 耗散功率： | 4000（mW） |
autoprotected Power MOSFET
•开启延迟时间：90ns
•关断延迟时间:450ns
•漏源极夹断电压：40V
•开态电阻RON：120mΩ
•封装类型：SO-8
•针脚数：8
•安装形式：表贴
•配置图(顶视图)
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上海贝臣电子有限公司
公司信息未核实
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