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现货热销仙童场效应管FQP55N10

价 格: 面议
品牌:FAIRCHILD/仙童
型号:FQP55N10
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:NF/音频(低频)
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
材料:SIT静电感应
开启电压:1(V)
夹断电压:1(V)
跨导:1(μS)
极间电容:1(pF)
低频噪声系数:1(dB)
漏极电流:1(mA)
耗散功率:1(mW)

FSC FAIRCHILD IC 半导体 电子

Manufacturer:Fairchild Semiconductor 
Product Category:MOSFETs 
RoHS:dzsc/18/8721/18872152.jpg Details 
Product:General Purpose MOSFETs 
Configuration:Single 
Package / Case:TO-220 
Transistor Polarity:N-Channel 
Drain-Source Breakdown Voltage:100 V 
Continuous Drain Current:55 A 
Power Dissipation:155000 mW 
Forward Transconductance gFS (Max / Min):38 S 
Resistance Drain-Source RDS (on):0.026 Ohm @ 10 V 
Typical Fall Time:140 ns 
Typical Rise Time:250 ns 
Typical Turn-Off Delay Time:110 ns 
Packaging:Tube 
Gate-Source Breakdown Voltage:+ /- 25 V 
Maximum Operating Temperature:175 C 
Minimum Operating Temperature:- 55 C 
Type:MOSFET

深圳市飞捷士科技有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
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信息内容:

原装,现货热卖 制造商:Fairchild Semiconductor产品种类:Transistors DarlingtonRoHS:dzsc/18/8723/18872388.jpg 详细信息 配置:Single晶体管极性:NPN集电极—发射极电压 VCEO:100 V发射极 - 基极电压 VEBO:5 V集电极—基极电压 VCBO:100 V直流电集电极电流:4 A集电极截止电流:200 uA功率耗散:40 W工作温度:+ 150 C安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-126封装:Tube集电极连续电流:4 A 直流集电极/Base Gain hfe Min:750 工厂包装数量:60 零件号别名:BD681STU_NL"

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原装飞捷电子是的功率器件分销商,致力于全面推广IR国际整流器件,国半,罗姆,INTERSIL,三菱电机,安森美,英飞凌,意法半导体,FUJI,仙童等国际知名品牌功率器件, 主要经营IGBT模块,整流二极管模块,IGBT单管,SPM模块,场效应管,快恢复二极管,肖特基二极管,智能电源开关管,IC等全线无铅产品。品种类:整流器 RoHS:dzsc/18/8730/18873059.jpg 详细信息产品:Fast Recovery Rectifier 配置:Single反向电压:400 V 正向电压下降:1.3 V恢复时间:60 ns 正向连续电流:150 A浪涌电流:1500 A 反向电流 IR:50 uA安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:POWER TAB封装:Tube 工作温度:+ 175 C最小工作温度:- 55 C

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