价 格: | 面议 | |
品牌: | IR 国际半导体 | |
型号: | 150EBU04 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | NF/音频(低频) | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | SIT静电感应 | |
开启电压: | 1(V) | |
夹断电压: | 1(V) | |
低频跨导: | 1(μS) | |
极间电容: | 1(pF) | |
低频噪声系数: | 1(dB) | |
漏极电流: | 1(mA) | |
耗散功率: | 1(mW) |
原装飞捷电子是的功率器件分销商,致力于全面推广IR国际整流器件,国半,罗姆,INTERSIL,三菱电机,安森美,英飞凌,意法半导体,FUJI,仙童等国际知名品牌功率器件, 主要经营IGBT模块,整流二极管模块,IGBT单管,SPM模块,场效应管,快恢复二极管,肖特基二极管,智能电源开关管,IC等全线无铅产品。
品种类: | 整流器 |
RoHS: | dzsc/18/8730/18873059.jpg 详细信息 |
产品: | Fast Recovery Rectifier |
配置: | Single |
反向电压: | 400 V |
正向电压下降: | 1.3 V |
恢复时间: | 60 ns |
正向连续电流: | 150 A |
浪涌电流: | 1500 A |
反向电流 IR: | 50 uA |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | POWER TAB |
封装: | Tube |
工作温度: | + 175 C |
最小工作温度: | - 55 C |
仙童 飞兆 Fairchild代理Manufacturer:Fairchild Semiconductor Product Category:MOSFETs RoHS:dzsc/18/8730/18873099.jpg Details Product:General Purpose MOSFETs Configuration:Single Package / Case:TO-3P Transistor Polarity:N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage:100 V Continuous Drain Current:140 A Power Dissipation:375000 mW Forward Transconductance gFS (Max / Min):80 S Resistance Drain-Source RDS (on):0.01 Ohm @ 10 V Typical Fall Time:360 ns Typical Rise Time:940 ns Typical Turn-Off Delay Time:350 ns Packaging:Tube Gate-Source Breakdown Voltage:+ /- 25 V Maximum Operating Temperature:175 C Minimum Operating Temperature:- 55 C Type:MOSFET"