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现货热销150EBU04系列产品

价 格: 面议
品牌:IR 国际半导体
型号:150EBU04
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:NF/音频(低频)
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
材料:SIT静电感应
开启电压:1(V)
夹断电压:1(V)
低频跨导:1(μS)
极间电容:1(pF)
低频噪声系数:1(dB)
漏极电流:1(mA)
耗散功率:1(mW)

原装飞捷电子是的功率器件分销商,致力于全面推广IR国际整流器件,国半,罗姆,INTERSIL,三菱电机,安森美,英飞凌意法半导体,FUJI仙童等国际知名品牌功率器件, 主要经营IGBT模块,整流二极管模块,IGBT单管,SPM模块,场效应管,快恢复二极管,肖特基二极管,智能电源开关管,IC等全线无铅产品。

品种类:整流器
 

 

RoHS:dzsc/18/8730/18873059.jpg 详细信息
产品:Fast Recovery Rectifier
 

 

配置:Single
反向电压:400 V
 

 

正向电压下降:1.3 V
恢复时间:60 ns
 

 

正向连续电流:150 A
浪涌电流:1500 A
 

 

反向电流 IR:50 uA
安装风格:SMD/SMT
 

 

封装 / 箱体:POWER TAB
封装:Tube
 

 

工作温度:+ 175 C
最小工作温度:- 55 C

深圳市飞捷士科技有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 杨先生
  • 电话:0755-88250321
  • 传真:0755-88257896
  • 手机:13902969450
  • QQ :QQ:787283808QQ:2355410651QQ:417400857
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信息内容:

仙童 飞兆 Fairchild代理Manufacturer:Fairchild Semiconductor Product Category:MOSFETs RoHS:dzsc/18/8730/18873099.jpg Details Product:General Purpose MOSFETs Configuration:Single Package / Case:TO-3P Transistor Polarity:N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage:100 V Continuous Drain Current:140 A Power Dissipation:375000 mW Forward Transconductance gFS (Max / Min):80 S Resistance Drain-Source RDS (on):0.01 Ohm @ 10 V Typical Fall Time:360 ns Typical Rise Time:940 ns Typical Turn-Off Delay Time:350 ns Packaging:Tube Gate-Source Breakdown Voltage:+ /- 25 V Maximum Operating Temperature:175 C Minimum Operating Temperature:- 55 C Type:MOSFET"

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