仙童BD681STU
| 价 格： | 面议 | |
| 封装外形： | CHIP/小型片状 | |
| 型号/规格： | BD681STU | |
| 材料： | ALGaAS铝镓砷 | |
| 用途： | NF/音频(低频) | |
| 品牌/商标： | FAIRCHILD/仙童 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 导电方式： | 增强型 |
原装，现货热卖
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- 所属城市：广东 深圳
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信息内容：原装飞捷电子是的功率器件分销商，致力于全面推广IR国际整流器件,国半,罗姆,INTERSIL,三菱电机,安森美,英飞凌，意法半导体,FUJI，仙童等国际知名品牌功率器件, 主要经营IGBT模块，整流二极管模块，IGBT单管，SPM模块，场效应管，快恢复二极管，肖特基二极管，智能电源开关管，IC等全线无铅产品。品种类:整流器 RoHS:dzsc/18/8730/18873059.jpg 详细信息产品:Fast Recovery Rectifier 配置:Single反向电压:400 V 正向电压下降:1.3 V恢复时间:60 ns 正向连续电流:150 A浪涌电流:1500 A 反向电流 IR:50 uA安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:POWER TAB封装:Tube 工作温度:+ 175 C最小工作温度:- 55 C
热销飞兆MOS管FQA140N10
信息内容：仙童 飞兆 Fairchild代理Manufacturer:Fairchild Semiconductor Product Category:MOSFETs RoHS:dzsc/18/8730/18873099.jpg Details Product:General Purpose MOSFETs Configuration:Single Package / Case:TO-3P Transistor Polarity:N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage:100 V Continuous Drain Current:140 A Power Dissipation:375000 mW Forward Transconductance gFS (Max / Min):80 S Resistance Drain-Source RDS (on):0.01 Ohm @ 10 V Typical Fall Time:360 ns Typical Rise Time:940 ns Typical Turn-Off Delay Time:350 ns Packaging:Tube Gate-Source Breakdown Voltage:+ /- 25 V Maximum Operating Temperature:175 C Minimum Operating Temperature:- 55 C Type:MOSFET"
