3安肖特基二极管
| 价 格： | 220.00 | |
| 产品类型： | 肖特基管 | |
| 品牌/商标： | 国产 | |
| 型号/规格： | 1N5822 | |
| 结构： | 肖特基 | |
| 材料： | 硅(Si) | |
| 封装形式： | 直插型 | |
| 封装材料： | 塑料封装 | |
| 功率特性： | 小功率 | |
| 频率特性： | 超高频 | |
| 反向电压VR： | 45（V） | |
| 正向直流电流IF： | 3（A） |
公司的4英寸0.5微米半导体特种工艺生产线，主要从事民用及军工等特种半导体器件的研制及生产。该生产线引进了STS的深刻蚀与淀积设备、SUSS的双面曝光设备、VALIAN电真空蒸发设备、KDF的金属淀积设备及离子注入设备，与国产的清洗、扩散氧化炉管等产品配套，形成了完整的通用及特种半导体器件生产线。已分别生产了高频微波三极管等微波功率器件以及肖特基二极管、太阳能光伏接线盒专用二极管、快恢复功率二极管，月产量达到5000圆片。
公司于2008年1月通过了ISO9001-2000质量体系认证，秉承顾客至上、管理规范、用心创造、品质精良的质量观念。所产产品广泛应用于军工、民用电子整机产品上，受到广大客户的普遍好评及认可。
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高频微波三极管 2SC4226-SOT23-R25 北京地区供应电子元器件
信息内容：2SC4226NPNTRANSISTOR (NPN) MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 简述： 本芯片采用硅外延工艺制造； 具有高功率增益放大以及低噪声特性； 大动态范围，理想的电流线性； 主要应用于超高频微波、VHF、UHF和CATV高频宽带低噪声放大器； 封装形式：SOT-323或者SOT-23； 集电极-基极击穿电压：BVCBO=20V，集电极电流：IC=100mA,集电极功率：PC=150mW，特征频率：fT=4.5GHz。 极限参数（Tamb=25℃）： 参数名称符号额定值单位集电极-基极击穿电压BVCBO20V集电极-发射极击穿电压BVCEO12V发射极-基极击穿电压BVEBO3V集电极电流IC100mA耗散功率PT150mW结温TJ150℃储存温度Tstg-65～ 150℃ 电参数及规格（Tamb=25℃）： 参数名称符号测试条件额定值单位最小值典型值值集电极截止电流ICBOVCB=10V,IE=0--1.0μA发射极截止电流IEBOVEB=1.0V,IC=0--1.0μA直流电流放大系数hFEVCE=3V,IC=7mA40160250 特征频率fTVCE=3V,IC=7mA3.04.5-GHz反馈电容CreIC=ic=0,VCB=3V,f=1MHz-0.71.5pF插入功率增...
高频NPN三极管2SC3838-SOT323-R25
信息内容：2SC3838NPNTRANSISTOR (NPN) MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 简述： 本芯片采用硅外延工艺制造； 具有高功率增益放大以及低噪声特性； 大动态范围，理想的电流线性； 主要应用于VHF、UHF和CATV高频宽带低噪声放大器； 封装形式：SOT-323或者SOT-23； 集电极-基极击穿电压：BVCBO=20V，集电极电流：IC=50mA；集电极功率：PC=200Mw,特征频率：fT=3.2GHz。 极限参数（Tamb=25℃）： 参数名称符号额定值单位集电极-基极击穿电压BVCBO20V集电极-发射极击穿电压BVCEO11V发射极-基极击穿电压BVEBO3V集电极电流IC50mA耗散功率PC200mW结温TJ150℃储存温度Tstg-55～ 150℃ 电参数及规格（Tamb=25℃）： 参数名称符号测试条件额定值单位最小值典型值值集电极截止电流ICBOVCB=10V,IE=0--0.5μA发射极截止电流IEBOVEB=1.0V,IC=0--0.5μA直流电流放大系数hFEVCE=10V,IC=20mA56-300 集电极-发射极饱和压降VCE（sat）IC=10mA, IB=5mA---0.5V特征频率fTVCE=10V,IC=20mA-1.43.2GHz输出电容CobVCB=10V,IE=0,f=1MHz-0.81...
