高频微波三极管 2SC4226-SOT23-R25 北京地区供应电子元器件
| 价 格： | 0.14 | |
| 封装形式： | 贴片型 | |
| 型号/规格： | R25 | |
| 材料： | 硅(Si) | |
| 品牌/商标： | 国产 | |
| 应用范围： | 微波 |
2SC4226NPNTRANSISTOR (NPN)
MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
简述： |
本芯片采用硅外延工艺制造；
具有高功率增益放大以及低噪声特性；
大动态范围，理想的电流线性；
主要应用于超高频微波、VHF、UHF和CATV高频宽带低噪声放大器；
封装形式：SOT-323或者SOT-23；
集电极-基极击穿电压：BVCBO=20V，集电极电流：IC=100mA,集电极功率：PC=150mW，特征频率：fT=4.5GHz。
极限参数（Tamb=25℃）： |
参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 |
集电极-基极击穿电压 | BVCBO | 20 | V |
集电极-发射极击穿电压 | BVCEO | 12 | V |
发射极-基极击穿电压 | BVEBO | 3 | V |
集电极电流 | IC | 100 | mA |
耗散功率 | PT | 150 | mW |
结温 | TJ | 150 | ℃ |
储存温度 | Tstg | -65～ 150 | ℃ |
电参数及规格（Tamb=25℃）： |
参数名称 | 符号 | 测试条件 | 额定值 | 单位 | ||
最小值 | 典型值 | 值 | ||||
集电极截止电流 | ICBO | VCB=10V,IE=0 | - | - | 1.0 | μA |
发射极截止电流 | IEBO | VEB=1.0V,IC=0 | - | - | 1.0 | μA |
直流电流放大系数 | hFE | VCE=3V,IC=7mA | 40 | 160 | 250 |
|
特征频率 | fT | VCE=3V,IC=7mA | 3.0 | 4.5 | - | GHz |
反馈电容 | Cre | IC=ic=0,VCB=3V,f=1MHz | - | 0.7 | 1.5 | pF |
插入功率增益 | ∣S21∣2 | IC=7mA,VCE=3V,f=1GHz | - | 7.9 | - | dB |
噪声系数 | NF | VCE=3V,IC=7mA,f=1.0GHz | - | 1.2 | 2.5 | dB |
CLASSIFICATION OF hFE | |||||
Rank | Q | R | S | ||
Range | 40～80 | 70～140 | 125～250 | ||
Marking | R23 | R24 | R25 | ||
PACKAGE INFORMATION | ||||
Device | Package | Shipping | Inner Box | Carton |
2SC4226 | SOT-23 | 3000/Tape&Reel | 15 Tape&Reel | 4 Inner Box |
dzsc/18/8755/18875532.jpg
- 所属城市：广东 广州
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- 电话：8601052383983
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高频NPN三极管2SC3838-SOT323-R25
信息内容：2SC3838NPNTRANSISTOR (NPN) MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 简述： 本芯片采用硅外延工艺制造； 具有高功率增益放大以及低噪声特性； 大动态范围，理想的电流线性； 主要应用于VHF、UHF和CATV高频宽带低噪声放大器； 封装形式：SOT-323或者SOT-23； 集电极-基极击穿电压：BVCBO=20V，集电极电流：IC=50mA；集电极功率：PC=200Mw,特征频率：fT=3.2GHz。 极限参数（Tamb=25℃）： 参数名称符号额定值单位集电极-基极击穿电压BVCBO20V集电极-发射极击穿电压BVCEO11V发射极-基极击穿电压BVEBO3V集电极电流IC50mA耗散功率PC200mW结温TJ150℃储存温度Tstg-55～ 150℃ 电参数及规格（Tamb=25℃）： 参数名称符号测试条件额定值单位最小值典型值值集电极截止电流ICBOVCB=10V,IE=0--0.5μA发射极截止电流IEBOVEB=1.0V,IC=0--0.5μA直流电流放大系数hFEVCE=10V,IC=20mA56-300 集电极-发射极饱和压降VCE（sat）IC=10mA, IB=5mA---0.5V特征频率fTVCE=10V,IC=20mA-1.43.2GHz输出电容CobVCB=10V,IE=0,f=1MHz-0.81...
高频NPN三极管2SC3838-SOT323
信息内容：2SC3838NPNTRANSISTOR (NPN) MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 简述： 本芯片采用硅外延工艺制造； 具有高功率增益放大以及低噪声特性； 大动态范围，理想的电流线性； 主要应用于VHF、UHF和CATV高频宽带低噪声放大器； 封装形式：SOT-323或者SOT-23； 集电极-基极击穿电压：BVCBO=20V，集电极电流：IC=50mA；集电极功率：PC=200Mw,特征频率：fT=3.2GHz。 极限参数（Tamb=25℃）： 参数名称符号额定值单位集电极-基极击穿电压BVCBO20V集电极-发射极击穿电压BVCEO11V发射极-基极击穿电压BVEBO3V集电极电流IC50mA耗散功率PC200mW结温TJ150℃储存温度Tstg-55～ 150℃ 电参数及规格（Tamb=25℃）： 参数名称符号测试条件额定值单位最小值典型值值集电极截止电流ICBOVCB=10V,IE=0--0.5μA发射极截止电流IEBOVEB=1.0V,IC=0--0.5μA直流电流放大系数hFEVCE=10V,IC=20mA56-300 集电极-发射极饱和压降VCE（sat）IC=10mA, IB=5mA---0.5V特征频率fTVCE=10V,IC=20mA-1.43.2GHz输出电容CobVCB=10V,IE=0,f=1MHz-0.81...
