高频NPN三极管2SC3838-SOT323-R25
| 价 格： | 0.16 | |
| 封装形式： | 贴片型 | |
| 型号/规格： | 2SC3838-SOT323 | |
| 材料： | 硅(Si) | |
| 品牌/商标： | 国产 | |
| 应用范围： | 放大 |
2SC3838NPNTRANSISTOR (NPN)
MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
简述： |
本芯片采用硅外延工艺制造；
具有高功率增益放大以及低噪声特性；
大动态范围，理想的电流线性；
主要应用于VHF、UHF和CATV高频宽带低噪声放大器；
封装形式：SOT-323或者SOT-23；
集电极-基极击穿电压：BVCBO=20V，集电极电流：IC=50mA；集电极功率：PC=200Mw,特征频率：fT=3.2GHz。
极限参数（Tamb=25℃）： |
参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 |
集电极-基极击穿电压 | BVCBO | 20 | V |
集电极-发射极击穿电压 | BVCEO | 11 | V |
发射极-基极击穿电压 | BVEBO | 3 | V |
集电极电流 | IC | 50 | mA |
耗散功率 | PC | 200 | mW |
结温 | TJ | 150 | ℃ |
储存温度 | Tstg | -55～ 150 | ℃ |
电参数及规格（Tamb=25℃）： |
参数名称 | 符号 | 测试条件 | 额定值 | 单位 | ||
最小值 | 典型值 | 值 | ||||
集电极截止电流 | ICBO | VCB=10V,IE=0 | - | - | 0.5 | μA |
发射极截止电流 | IEBO | VEB=1.0V,IC=0 | - | - | 0.5 | μA |
直流电流放大系数 | hFE | VCE=10V,IC=20mA | 56 | - | 300 |
|
集电极-发射极饱和压降 | VCE（sat） | IC=10mA, IB=5mA | -- | - | 0.5 | V |
特征频率 | fT | VCE=10V,IC=20mA | - | 1.4 | 3.2 | GHz |
输出电容 | Cob | VCB=10V,IE=0,f=1MHz | - | 0.8 | 1.5 | pF |
噪声系数 | NF | VCE=6V,IC=2mA,f=500MHz | - | 3.5 | - | dB |
| 北京鼎霖电子科技有限公司Mobile：13466592802 Fax：010-87220512 |
| |
PACKAGE INFORMATION | ||||
Device | Package | Shipping | Inner Box | Carton |
2SC3838 | SOT-23 | 3000/Tape&Reel | 15 Tape&Reel | 4 Inner Box |
PACKAGE INFORMATION | ||||
Device | Package | Shipping | Inner Box | Carton |
2SC3838 | SOT-323 | 3000/Tape&Reel | 15 Tape&Reel | 4 Inner Box |
CLASSIFICATION OF hFE | |||
RANK | N | P | |
RANGE | 56～120 | 82～180 | |
MARKING | HADN | HADP | |
- 所属城市：广东 广州
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
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- 电话：8601052383983
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高频NPN三极管2SC3838-SOT323
信息内容：2SC3838NPNTRANSISTOR (NPN) MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 简述： 本芯片采用硅外延工艺制造； 具有高功率增益放大以及低噪声特性； 大动态范围，理想的电流线性； 主要应用于VHF、UHF和CATV高频宽带低噪声放大器； 封装形式：SOT-323或者SOT-23； 集电极-基极击穿电压：BVCBO=20V，集电极电流：IC=50mA；集电极功率：PC=200Mw,特征频率：fT=3.2GHz。 极限参数（Tamb=25℃）： 参数名称符号额定值单位集电极-基极击穿电压BVCBO20V集电极-发射极击穿电压BVCEO11V发射极-基极击穿电压BVEBO3V集电极电流IC50mA耗散功率PC200mW结温TJ150℃储存温度Tstg-55～ 150℃ 电参数及规格（Tamb=25℃）： 参数名称符号测试条件额定值单位最小值典型值值集电极截止电流ICBOVCB=10V,IE=0--0.5μA发射极截止电流IEBOVEB=1.0V,IC=0--0.5μA直流电流放大系数hFEVCE=10V,IC=20mA56-300 集电极-发射极饱和压降VCE（sat）IC=10mA, IB=5mA---0.5V特征频率fTVCE=10V,IC=20mA-1.43.2GHz输出电容CobVCB=10V,IE=0,f=1MHz-0.81...
通用肖特基二极管
信息内容：dzsc/18/9965/18996572.jpg北京鼎霖电子科技有限公司成立于2007年12月，主要从事半导体特种器件的研发、生产、销售。公司的4英寸0.5微米半导体特种工艺生产线，主要从事民用及军工等特种半导体器件的研制及生产。该生产线引进了STS的深刻蚀与淀积设备、SUSS的双面曝光设备、VALIAN电真空蒸发设备、KDF的金属淀积设备及离子注入设备，与国产的清洗、扩散氧化炉管等产品配套，形成了完整的通用及特种半导体器件生产线。已分别生产了高频微波三极管等微波功率器件以及肖特基二极管、太阳能光伏接线盒专用二极管、快恢复功率二极管，月产量达到5000圆片。公司于2008年1月通过了ISO9001-2000质量体系认证，秉承顾客至上、管理规范、用心创造、品质精良的质量观念。所产产品广泛应用于军工、民用电子整机产品上，受到广大客户的普遍好评及认可。
