厂家直供 PBR951-SOT23高频微波三极管 电子元器件 价格优惠
| 价 格： | 0.20 | |
| 封装形式： | 贴片型 | |
| 型号/规格： | PBR951-SOT23 | |
| 材料： | 硅(Si) | |
| 品牌/商标： | 国产 | |
| 应用范围： | 微波 |
PBR951NPNTRANSISTOR (NPN)
MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
简述： |
本芯片采用硅外延工艺制造；具有高功率增益放大以及低噪声系数特性,具有较宽的动态范围，低失真，理想的电流线性；
主要应用于无线遥控、无线通讯、MATV、CATV放大和RF通信用户设备上；
其基本性能指标基本等同于PHILIPS公司的PBR951、BFQ591、BFR93（A）、BFR520等产品；
封装形式：SOT-23；
集电极-基极击穿电压：BVCBO=20V，集电极电流：IC=100mA；集电极功率：PC=500mW,特征频率：fT=7GHz。
极限参数（Tamb=25℃）： | |||
参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 |
集电极-基极击穿电压 | BVCBO | 20 | V |
集电极-发射极击穿电压 | BVCES | 10 | V |
发射极-基极击穿电压 | BVEBO | 1.5 | V |
集电极电流 | IC | 100 | mA |
耗散功率 | PT | 500 | mW |
结温 | TJ | 150 | ℃ |
储存温度 | Tstg | -65～+150 | ℃ |
电参数及规格（Tamb=25℃）： | ||||||
参数名称 | 符号 | 测试条件 | 额定值 | 单位 | ||
最小值 | 典型值 | 值 | ||||
集电极-基极击穿电压 | BVCBO | IC=0.1mA, IE=0 | 20 | - | - | V |
集电极-发射极击穿电压 | BVCES | IC=0.1mA, IB=0 | 10 | - | - | V |
发射极-基极击穿电压 | BVEBO | IE=0.01mA, IC=0 | 1.5 | - | - | V |
集电极截止电流 | ICBO | VCB=10V,IE=0 | - | - | 100 | nA |
直流电流放大系数 | hFE | VCE=6V,IC=5mA | 50 | 100 | 200 |
|
VCE=6V,IC=15mA | - | 100 | - |
| ||
反馈电容 | Cre | IC=0,VCE=6V,f=1MHz | - | 0.4 | - | PF |
特征频率 | fT | VCE=6V,IC=30mA, f=1GHz | - | 8 | - | GHz |
单边功率增益 | GUM | IC=30mA,VCE=6V,f=1GHz | - | 14 | - | dB |
IC=30mA,VCE=6V,f=2GHz | - | 8 | - | dB | ||
噪声系数 | NF | VCE=6V,IC=5mA,f=1GHz | - | 1.3 | - | dB |
VCE=6V,IC=5mA,f=2GHz | - | 2.0 | - | dB | ||
包装信息PACKAGE INFORMATION | ||||
Device | Package | Shipping | Inner Box | Carton |
PBR951 | SOT-23 | 3000/Tape&Reel | 10 Tape&Reel | 6 Inner Box |
MARKING | |
TYPE MUMBER | MARKING GODE |
PBR951 | W2 |
北 京鼎霖电子科技有限公司成立于2007年12月，公司的4英寸0.5微米半导体特种工艺生产线，主要从事民用及军工等特种半导体器件的研制及生产。 该4英寸半导体工艺生产线于2005年引进了STS的深刻蚀与淀积设备、SUSS的双面曝光设备、VALIAN电真空蒸发设备、KDF的金属淀积设备及离 子注入设备，与国产的清洗、扩散氧化炉管等产品配套，形成了完整的通用及特种半导体器件生产线。已分别生产了肖特基二极管、微波功率器件、快恢复功率二极 管、MEMS器件等产品，月产量达到5000圆片。
公司于2008年1月通过了ISO9001-2000质量体系认证，秉承顾客至上、管理规范、用心创造、品质精良的质量观念。所产产品广泛应用于军工、民用电子整机产品上，受到广大客户的普遍好评及认可。
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3安肖特基二极管
信息内容：公司的4英寸0.5微米半导体特种工艺生产线，主要从事民用及军工等特种半导体器件的研制及生产。该生产线引进了STS的深刻蚀与淀积设备、SUSS的双面曝光设备、VALIAN电真空蒸发设备、KDF的金属淀积设备及离子注入设备，与国产的清洗、扩散氧化炉管等产品配套，形成了完整的通用及特种半导体器件生产线。已分别生产了高频微波三极管等微波功率器件以及肖特基二极管、太阳能光伏接线盒专用二极管、快恢复功率二极管，月产量达到5000圆片。公司于2008年1月通过了ISO9001-2000质量体系认证，秉承顾客至上、管理规范、用心创造、品质精良的质量观念。所产产品广泛应用于军工、民用电子整机产品上，受到广大客户的普遍好评及认可。"
高频微波三极管 2SC4226-SOT23-R25 北京地区供应电子元器件
信息内容：2SC4226NPNTRANSISTOR (NPN) MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 简述： 本芯片采用硅外延工艺制造； 具有高功率增益放大以及低噪声特性； 大动态范围，理想的电流线性； 主要应用于超高频微波、VHF、UHF和CATV高频宽带低噪声放大器； 封装形式：SOT-323或者SOT-23； 集电极-基极击穿电压：BVCBO=20V，集电极电流：IC=100mA,集电极功率：PC=150mW，特征频率：fT=4.5GHz。 极限参数（Tamb=25℃）： 参数名称符号额定值单位集电极-基极击穿电压BVCBO20V集电极-发射极击穿电压BVCEO12V发射极-基极击穿电压BVEBO3V集电极电流IC100mA耗散功率PT150mW结温TJ150℃储存温度Tstg-65～ 150℃ 电参数及规格（Tamb=25℃）： 参数名称符号测试条件额定值单位最小值典型值值集电极截止电流ICBOVCB=10V,IE=0--1.0μA发射极截止电流IEBOVEB=1.0V,IC=0--1.0μA直流电流放大系数hFEVCE=3V,IC=7mA40160250 特征频率fTVCE=3V,IC=7mA3.04.5-GHz反馈电容CreIC=ic=0,VCB=3V,f=1MHz-0.71.5pF插入功率增...
