N沟MOSF管SI9926BDY
| 价 格： | 3.00 | |
| 品牌/商标： | 其他 | |
| 型号/规格： | SI9926BDY | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 20（V） | |
| 夹断电压： | 1.5（V） | |
| 跨导： | 0（μS） | |
| 极间电容： | 0（pF） | |
| 低频噪声系数： | 0（dB） | |
| 漏极电流： | 0（mA） | |
| 耗散功率： | 0（mW） |
SO8, N沟MOSFET
| SI9926BDY |
| 8-SOIC |
| DY-T1-(G)E3 Series 8-SOIC |
| 2,500 |
| 分离式半导体产品 |
| FET - 阵列 |
| TrenchFET® |
| 2 个 N 沟道（双） |
| 逻辑电平门 |
| 20 毫欧 @ 8.2A, 4.5V |
| 20V |
| 6.2A |
| 1.5V @ 250µA |
| 20nC @ 4.5V |
| - |
| 1.14W |
| 表面贴装 |
| 8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽） |
| 8-SOICN |
| 带卷 (TR) |
- 所属城市：广东 深圳
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N沟MOSF管IRFR1010Z
信息内容：TO-252(D-PARK) 20V-800V, N沟MOSFET数据列表IRF(R,U)1010ZPbF产品相片TO-252-2标准包装3,000类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C7.5 毫欧 @ 42A, 10V漏极至源极电压(Vdss)55V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C42AId 时的 Vgs(th)（）4V @ 100µA闸电荷(Qg) @ Vgs95nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)2840pF @ 25V功率 - 140W安装类型表面贴装封装/外壳TO-252-3, DPak (2 引线 接片), SC-63包装带卷 (TR)供应商设备封装D-Pak
N沟MOSF管IRFR3410
信息内容：数据列表IRFR3410PbF, IRFU3410PbF产品相片IRFR3410TRLPBF产品目录绘图D Pak Side标准包装3,000类别分离式半导体产品家庭MOSFET，GaNFET - 单系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C39 毫欧 @ 18A, 10V漏极至源极电压(Vdss)100VId 时的 Vgs(th)（）4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs56nC @ 10V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C31A在 Vds 时的输入电容(Ciss)1690pF @ 25V功率 - 3W安装类型表面贴装封装/外壳DPak, SC-63,TO-252(2引线 接片)包装带卷 (TR)产品目录页面1376 (CN091-10 PDF"
