供应优质高频微波三极管 SC5508-SOT342 厂家直销
| 价 格： | 0.32 | |
| 封装形式： | 贴片型 | |
| 型号/规格： | 2SC5508，SOT-343 | |
| 材料： | 锗(Ge) | |
| 品牌/商标： | 国产 | |
| 应用范围： | 微波 |
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北京鼎霖电子科技有限公司成立于2007年12月，公司的4英寸0.5微米半导体特种工艺生产线，主要从事民用及军工等特种半导体器件的研制及生产。 该4英寸半导体工艺生产线于2005年引进了STS的深刻蚀与淀积设备、SUSS的双面曝光设备、VALIAN电真空蒸发设备、KDF的金属淀积设备及离子注入设备，与国产的清洗、扩散氧化炉管等产品配套，形成了完整的通用及特种半导体器件生产线。已分别生产了肖特基二极管、微波功率器件、快恢复功率二极管、MEMS器件等产品，月产量达到5000圆片。
公司于2008年1月通过了ISO9001-2000质量体系认证，秉承顾客至上、管理规范、用心创造、品质精良的质量观念。所产产品广泛应用于军工、民用电子整机产品上，受到广大客户的普遍好评及认可。
2SC5508参数:
类别：NPN-硅通用高频低噪声宽带NPN晶体管 集电极-发射极电压VCEO：3.3V
集电极-基极电压VCBO:15V
发射极-基极电压VEBO:1.5V
集电极直流电流IC:35mA
总耗散功率(TA=25℃)Ptot:0.115W
工作结温Tj:150℃
贮存温度Tstg:-65~150℃
封装形式：SOT-343
功率特性：中功率
极性：NPN型
结构：扩散型
材料：锗硅
封装材料：塑料封装
电性能参数（TA=25℃）：
击穿电压:V(BR)CEO=3.3V,V(BR)CBO=15V,V(BR)EBO=1.5V
直流放大系数hFE:50～100@VCE=3V,IC=5mA
集电极-基极截止电流ICBO:100nA(值)
发射极-基极截止电流IEBO:100nA(值)
特征频率fT:25.0GHz@ VCE=3V,IC=30mA
集电极允许电流IC：0.035（A）
集电极允许耗散功率PT：0.115（W）
功率增益GUM：20dB@IC=20mA,VCE=2V,f=2GHz
反馈电容Cre：0.095 pF @ IC=ic=0,VCB=2V,f=1MHz。
插入功率增益∣S21∣：17dB@IC=20mA,VCE=2V,f=2GHz
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厂家直供 PBR951-SOT23高频微波三极管 电子元器件 价格优惠
信息内容：PBR951NPNTRANSISTOR (NPN) MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 简述： 本芯片采用硅外延工艺制造；具有高功率增益放大以及低噪声系数特性,具有较宽的动态范围，低失真，理想的电流线性； 主要应用于无线遥控、无线通讯、MATV、CATV放大和RF通信用户设备上； 其基本性能指标基本等同于PHILIPS公司的PBR951、BFQ591、BFR93（A）、BFR520等产品； 封装形式：SOT-23； 集电极-基极击穿电压：BVCBO=20V，集电极电流：IC=100mA；集电极功率：PC=500mW,特征频率：fT=7GHz。 极限参数（Tamb=25℃）：参数名称符号额定值单位集电极-基极击穿电压BVCBO20V集电极-发射极击穿电压BVCES10V发射极-基极击穿电压BVEBO1.5V集电极电流IC100mA耗散功率PT500mW结温TJ150℃储存温度Tstg-65～+150℃ 电参数及规格（Tamb=25℃）：参数名称符号测试条件额定值单位最小值典型值值集电极-基极击穿电压BVCBOIC=0.1mA, IE=020--V集电极-发射极击穿电压BVCESIC=0.1mA, IB=010--V发射极-基极...
3安肖特基二极管
信息内容：公司的4英寸0.5微米半导体特种工艺生产线，主要从事民用及军工等特种半导体器件的研制及生产。该生产线引进了STS的深刻蚀与淀积设备、SUSS的双面曝光设备、VALIAN电真空蒸发设备、KDF的金属淀积设备及离子注入设备，与国产的清洗、扩散氧化炉管等产品配套，形成了完整的通用及特种半导体器件生产线。已分别生产了高频微波三极管等微波功率器件以及肖特基二极管、太阳能光伏接线盒专用二极管、快恢复功率二极管，月产量达到5000圆片。公司于2008年1月通过了ISO9001-2000质量体系认证，秉承顾客至上、管理规范、用心创造、品质精良的质量观念。所产产品广泛应用于军工、民用电子整机产品上，受到广大客户的普遍好评及认可。"
