N沟MOSF管IRF3710S
| 价 格： | 1.00 | |
| 品牌/商标： | 其他 | |
| 型号/规格： | IRF3710S | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | A/宽频带放大 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料： | P-FET硅P沟道 | |
| 开启电压： | 100（V） | |
| 夹断电压： | 4（V） |
TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET
| IRF3710(S,L)PbF |
| D2PAK, TO-263 |
| IR Hexfet D2PAK |
| 800 |
| 分离式半导体产品 |
| FET - 单路 |
| HEXFET® |
| MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 标准型 |
| 23 毫欧 @ 28A, 10V |
| 100V |
| 57A |
| 4V @ 250µA |
| 130nC @ 10V |
| 3130pF @ 25V |
| 200W |
- 所属城市：广东 深圳
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N沟MOSF管SI9926BDY
信息内容：SO8, N沟MOSFET数据列表SI9926BDY产品相片8-SOIC产品目录绘图DY-T1-(G)E3 Series 8-SOIC标准包装2,500类别分离式半导体产品家庭FET - 阵列系列TrenchFET®FET 型2 个 N 沟道（双）FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C20 毫欧 @ 8.2A, 4.5V漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6.2AId 时的 Vgs(th)（）1.5V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs20nC @ 4.5V在 Vds 时的输入电容(Ciss)-功率 - 1.14W安装类型表面贴装封装/外壳8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽）供应商设备封装8-SOICN包装带卷 (TR)
N沟MOSF管IRFR1010Z
信息内容：TO-252(D-PARK) 20V-800V, N沟MOSFET数据列表IRF(R,U)1010ZPbF产品相片TO-252-2标准包装3,000类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C7.5 毫欧 @ 42A, 10V漏极至源极电压(Vdss)55V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C42AId 时的 Vgs(th)（）4V @ 100µA闸电荷(Qg) @ Vgs95nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)2840pF @ 25V功率 - 140W安装类型表面贴装封装/外壳TO-252-3, DPak (2 引线 接片), SC-63包装带卷 (TR)供应商设备封装D-Pak
