MOS管 SI2306 [台湾晶圆自产批发]
| 价 格： | 0.01 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 型号/规格： | SI2306 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 品牌/商标： | Pm | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 导电方式： | 增强型 |
SI2306
- 30V N-Type Channel
- Id=3.6A
- Rds(on)≤55mΩ @Vgs=10V
- Rds(on)≤78mΩ @Vgs=4.5V
- 封装：SOT23
料号 | 沟道 | 封装 | 耐流 | 耐压 | Vgs | Vth max. | Qg (typ.) | 內阻max.@Vgs | 备注 | |||
10V | 4.5V | 2.5V | 1.8V | |||||||||
SI2306 | N | SOT23 | 3.6 | 30 | ±20 | 2.5 |
| 55 | 78 |
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"- 所属城市：广东 深圳
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MOS管 SI2312 [台湾晶圆自产批发]
信息内容：SI2312- 20V N-Type MOSFET- ld=5A- Rds(on)≤48mΩ @Vgs=4.5V- Rds(on)≤55mΩ @Vgs=2.5V- Rds(on)≤65mΩ @Vgs=1.8V- 封装：SOT23料号沟道封装耐流耐压VgsVthmax.Qg(typ.)內阻max.@Vgs备注10V4.5V2.5V1.8VSI2312NSOT23520±81.0 485565 如有任何问题或需求，请与本公司业务单位连系。
台湾原厂高压MOS管晶圆片 1N60, 2N60, 4N60, 7N60, 10N60
信息内容：1N60, 2N60, 4N60, 7N60, 10N60 HVMOSFET WAFER1N60-N-Type, 1A, 600V-Rds(on) ≤ 9Ω @Vgs=10V-Packaged Type:TO-92, TO-251, TO-252, TO-220, TO-220F2N60-N-Type, 2A, 600V-Rds(on) ≤ 4.4Ω @Vgs=10V-Packaged Type: TO-251, TO-252, TO-220, TO-220F4N60-N-Type, 4A, 600V-Rds(on) ≤ 2.2Ω @Vgs=10V-Packaged Type: TO-251, TO-252, TO-220, TO-220F7N60-N-Type, 7A, 600V-Rds(on) ≤ 1.3Ω @Vgs=10V-Packaged Type: TO-220, TO-220F10N60-N-Type, 10A, 600V-Rds(on) ≤ 0.75Ω @Vgs=10V-Packaged Type: TO-220, TO-220Fdzsc/18/8705/18870557.jpg
