价 格: | 0.10 | |
品牌/商标: | Pm | |
型号/规格: | 1N60, 2N60, 4N60, 7N60, 10N60 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
封装外形: | WAFER/裸芯片 | |
开启电压: | -(V) | |
夹断电压: | -(V) | |
极间电容: | -(pF) | |
低频噪声系数: | -(dB) | |
漏极电流: | -(mA) | |
耗散功率: | -(mW) |
1N60, 2N60, 4N60, 7N60, 10N60 HVMOSFET WAFER
1N60
-N-Type, 1A, 600V
-Rds(on) ≤ 9Ω @Vgs=10V
-Packaged Type:TO-92, TO-251, TO-252, TO-220, TO-220F
2N60
-N-Type, 2A, 600V
-Rds(on) ≤ 4.4Ω @Vgs=10V
-Packaged Type: TO-251, TO-252, TO-220, TO-220F
4N60
-N-Type, 4A, 600V
-Rds(on) ≤ 2.2Ω @Vgs=10V
-Packaged Type: TO-251, TO-252, TO-220, TO-220F
7N60
-N-Type, 7A, 600V
-Rds(on) ≤ 1.3Ω @Vgs=10V
-Packaged Type: TO-220, TO-220F
10N60
-N-Type, 10A, 600V
-Rds(on) ≤ 0.75Ω @Vgs=10V
-Packaged Type: TO-220, TO-220F
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AO3416- 20V N-Type MOSFET- Id=6.5A- ESD protected- Rds(on)≤22mΩ @Vgs=4.5V- Rds(on)≤26mΩ @Vgs=2.5V- Rds(on)≤34mΩ @Vgs=1.8V- 封装:SOT23料号沟道封装耐流耐压VgsVthmax.Qg(typ.)內阻max.@Vgs备注10V4.5V2.5V1.8VAO3416NSOT236.520±120.85 222634ESD如有任何问题或需求,请与本公司相关人员连系。
SI2304 - 30V N-Type Channel- Id=3.6A- Rds(on)≤55mΩ @Vgs=10V- Rds(on)≤78mΩ @Vgs=4.5V- 封装:SOT23料号沟道封装耐流耐压VgsVthmax.Qg(typ.)內阻max.@Vgs备注10V4.5V2.5V1.8VSI2304NSOT233.630±202.5 5578 如有任何问题或需求,请与本公司业务单位连系。