价 格: | 0.01 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
型号/规格: | SI2312 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
品牌/商标: | SI | |
沟道类型: | N沟道 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
导电方式: | 增强型 |
SI2312
- 20V N-Type MOSFET
- ld=5A
- Rds(on)≤48mΩ @Vgs=4.5V
- Rds(on)≤55mΩ @Vgs=2.5V
- Rds(on)≤65mΩ @Vgs=1.8V
- 封装:SOT23
料号 | 沟道 | 封装 | 耐流 | 耐压 | Vgs | Vth max. | Qg (typ.) | 內阻max.@Vgs | 备注 | |||
10V | 4.5V | 2.5V | 1.8V | |||||||||
SI2312 | N | SOT23 | 5 | 20 | ±8 | 1.0 |
|
| 48 | 55 | 65 |
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如有任何问题或需求,请与本公司业务单位连系。
1N60, 2N60, 4N60, 7N60, 10N60 HVMOSFET WAFER1N60-N-Type, 1A, 600V-Rds(on) ≤ 9Ω @Vgs=10V-Packaged Type:TO-92, TO-251, TO-252, TO-220, TO-220F2N60-N-Type, 2A, 600V-Rds(on) ≤ 4.4Ω @Vgs=10V-Packaged Type: TO-251, TO-252, TO-220, TO-220F4N60-N-Type, 4A, 600V-Rds(on) ≤ 2.2Ω @Vgs=10V-Packaged Type: TO-251, TO-252, TO-220, TO-220F7N60-N-Type, 7A, 600V-Rds(on) ≤ 1.3Ω @Vgs=10V-Packaged Type: TO-220, TO-220F10N60-N-Type, 10A, 600V-Rds(on) ≤ 0.75Ω @Vgs=10V-Packaged Type: TO-220, TO-220Fdzsc/18/8705/18870557.jpg
AO3416- 20V N-Type MOSFET- Id=6.5A- ESD protected- Rds(on)≤22mΩ @Vgs=4.5V- Rds(on)≤26mΩ @Vgs=2.5V- Rds(on)≤34mΩ @Vgs=1.8V- 封装:SOT23料号沟道封装耐流耐压VgsVthmax.Qg(typ.)內阻max.@Vgs备注10V4.5V2.5V1.8VAO3416NSOT236.520±120.85 222634ESD如有任何问题或需求,请与本公司相关人员连系。