价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | ST/意法 | |
型号/规格: | STP6N120K3 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | S/开关 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
开启电压: | 5(V) | |
夹断电压: | 30(V) | |
极间电容: | 1050(pF) | |
漏极电流: | 5000(mA) | |
耗散功率: | 150000(mW) |
• VDS=1200V
• ID=5A
• 导通电阻:R<2.4Ω
• 总耗散功率:150W
• 工作温度范围:-50 ~ 150°C
• VDS=650V • ID=9A• 导通电阻:R<0.51Ω• 总耗散功率:100W• 工作温度范围:-55 ~ 150°C
•VDS=60V•ID=0.5A•RDS(ON)<5Ω•封装形式:SOT-23•耗散功率:PD=0.25W @TC=25°C•工作温度范围:-55 ~ 150°C