价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | 0N/安森美 | |
型号/规格: | MMBF170L | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | V-FET/V型槽MOS | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 3(V) | |
极间电容: | 60(pF) | |
漏极电流: | 500(mA) | |
耗散功率: | 225(mW) |
•VDS=60V
•ID=0.5A
•RDS(ON)<5Ω
•封装形式:SOT-23
•耗散功率:PD=0.25W @TC=25°C
•工作温度范围:-55 ~ 150°C
N-Channel MOSFET 600V, 2.0A, 4.5ΩBrand: MagnaChipParts: MDF2N60THPackage: TO-220FFeatures:2.0A, 600V, RDS(on)≤4.5W@VGS= 10V Applications:Power supply, PFC, High current and High Speed Switching适用于:开关电源,高电流、快速转换开关
•VDS=60V•ID=45A•RDS(ON)<0.028Ω•封装形式:D2PAK•耗散功率:PD=125W @TC=25°C•工作温度范围:-55 ~ 175°C "