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供应安森美MOS——MMBF170L

价 格: 面议
品牌/商标:0N/安森美
型号/规格:MMBF170L
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:V-FET/V型槽MOS
封装外形:SMD(SO)/表面封装
材料:N-FET硅N沟道
开启电压:3(V)
极间电容:60(pF)
漏极电流:500(mA)
耗散功率:225(mW)

•VDS=60V

•ID=0.5A

•RDS(ON)<5Ω

•封装形式:SOT-23

•耗散功率:PD=0.25W   @TC=25°C

•工作温度范围:-55 ~ 150°C

 

 

上海贝臣电子有限公司
公司信息未核实
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•VDS=60V•ID=45A•RDS(ON)<0.028Ω•封装形式:D2PAK•耗散功率:PD=125W @TC=25°C•工作温度范围:-55 ~ 175°C "

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