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长期供应ST原装MOS——STP9NM60N

价 格: 面议
品牌/商标:ST/意法
型号/规格:STP9NM60N
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:S/开关
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
开启电压:4(V)
夹断电压:25(V)
跨导:7500(μS)
极间电容:880(pF)
漏极电流:9000(mA)
耗散功率:100000(mW)

• VDS=650V 

• ID=9A

• 导通电阻:R<0.51Ω

• 总耗散功率:100W

• 工作温度范围:-55 ~ 150°C

 

 

 

上海贝臣电子有限公司
公司信息未核实
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  • 联系人: 何军
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信息内容:

•VDS=60V•ID=0.5A•RDS(ON)<5Ω•封装形式:SOT-23•耗散功率:PD=0.25W @TC=25°C•工作温度范围:-55 ~ 150°C

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信息内容:

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