价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | ST/意法 | |
型号/规格: | STP9NM60N | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | S/开关 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
开启电压: | 4(V) | |
夹断电压: | 25(V) | |
跨导: | 7500(μS) | |
极间电容: | 880(pF) | |
漏极电流: | 9000(mA) | |
耗散功率: | 100000(mW) |
• VDS=650V
• ID=9A
• 导通电阻:R<0.51Ω
• 总耗散功率:100W
• 工作温度范围:-55 ~ 150°C
•VDS=60V•ID=0.5A•RDS(ON)<5Ω•封装形式:SOT-23•耗散功率:PD=0.25W @TC=25°C•工作温度范围:-55 ~ 150°C
N-Channel MOSFET 600V, 2.0A, 4.5ΩBrand: MagnaChipParts: MDF2N60THPackage: TO-220FFeatures:2.0A, 600V, RDS(on)≤4.5W@VGS= 10V Applications:Power supply, PFC, High current and High Speed Switching适用于:开关电源,高电流、快速转换开关