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N沟MOSF管IRFZ24NS

价 格: 5.00
品牌/商标:IR/国际整流器
型号/规格:IRFZ24NS
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:A/宽频带放大
封装外形:SMD(SO)/表面封装
材料:GE-N-FET锗N沟道
开启电压:55(V)
夹断电压:55(V)
极间电容:370(pF)
漏极电流:170(mA)
耗散功率:3800(mW)

TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET

数据列表产品相片标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C漏极至源极电压(Vdss)电流 - 连续漏极(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)()闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - 安装类型封装/外壳包装供应商设备封装其它名称
IRFZ24NS(LPbF)
IRFS4228TRLPBF
800
分离式半导体产品
FET - 单路
HEXFET®
MOSFET N 通道,金属氧化物
标准型
70 毫欧 @ 10A, 10V
55V
17A
4V @ 250µA
20nC @ 10V
370pF @ 25V
3.8W
表面贴装
TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB
带卷 (TR)
D2PAK
IRFZ24NSTRLPBF-ND
IRFZ24NSTRLPBFTR

深圳市金广顺科技有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
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  • 联系人: 孔维年
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N沟MOSF管IRF3710S

信息内容:

TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET数据列表IRF3710(S,L)PbF产品相片D2PAK, TO-263产品目录绘图IR Hexfet D2PAK标准包装800类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点标准型开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C23 毫欧 @ 28A, 10V漏极至源极电压(Vdss)100V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C57AId 时的 Vgs(th)()4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs130nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)3130pF @ 25V功率 - 200W

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N沟MOSF管SI9926BDY

信息内容:

SO8, N沟MOSFET数据列表SI9926BDY产品相片8-SOIC产品目录绘图DY-T1-(G)E3 Series 8-SOIC标准包装2,500类别分离式半导体产品家庭FET - 阵列系列TrenchFET®FET 型2 个 N 沟道(双)FET 特点逻辑电平门开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C20 毫欧 @ 8.2A, 4.5V漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6.2AId 时的 Vgs(th)()1.5V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs20nC @ 4.5V在 Vds 时的输入电容(Ciss)-功率 - 1.14W安装类型表面贴装封装/外壳8-SOIC(0.154", 3.90mm 宽)供应商设备封装8-SOICN包装带卷 (TR)

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