价 格: | 5.00 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
型号/规格: | IRFZ24NS | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | A/宽频带放大 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
材料: | GE-N-FET锗N沟道 | |
开启电压: | 55(V) | |
夹断电压: | 55(V) | |
极间电容: | 370(pF) | |
漏极电流: | 170(mA) | |
耗散功率: | 3800(mW) |
TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET
IRFZ24NS(LPbF) |
IRFS4228TRLPBF |
800 |
分离式半导体产品 |
FET - 单路 |
HEXFET® |
MOSFET N 通道,金属氧化物 |
标准型 |
70 毫欧 @ 10A, 10V |
55V |
17A |
4V @ 250µA |
20nC @ 10V |
370pF @ 25V |
3.8W |
表面贴装 |
TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB |
带卷 (TR) |
D2PAK |
IRFZ24NSTRLPBF-ND IRFZ24NSTRLPBFTR |
TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET数据列表IRF3710(S,L)PbF产品相片D2PAK, TO-263产品目录绘图IR Hexfet D2PAK标准包装800类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点标准型开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C23 毫欧 @ 28A, 10V漏极至源极电压(Vdss)100V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C57AId 时的 Vgs(th)()4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs130nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)3130pF @ 25V功率 - 200W
SO8, N沟MOSFET数据列表SI9926BDY产品相片8-SOIC产品目录绘图DY-T1-(G)E3 Series 8-SOIC标准包装2,500类别分离式半导体产品家庭FET - 阵列系列TrenchFET®FET 型2 个 N 沟道(双)FET 特点逻辑电平门开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C20 毫欧 @ 8.2A, 4.5V漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6.2AId 时的 Vgs(th)()1.5V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs20nC @ 4.5V在 Vds 时的输入电容(Ciss)-功率 - 1.14W安装类型表面贴装封装/外壳8-SOIC(0.154", 3.90mm 宽)供应商设备封装8-SOICN包装带卷 (TR)