N沟MOSF管IRFR120N
| 价 格： | 1.00 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 型号/规格： | IRFR120N | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 开启电压： | 100（V） | |
| 夹断电压： | 4（V） |
TO-252(D-PARK) 20V-800V, N沟MOSFET
| IRFR/U120NPbF |
| TO-252-2 |
| IR Hexfet DPak |
| 2,000 |
| 分离式半导体产品 |
| FET - 单路 |
| HEXFET® |
| MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 标准型 |
| 210 毫欧 @ 5.6A, 10V |
| 100V |
| 9.4A |
| 4V @ 250µA |
| 25nC @ 10V |
| 330pF @ 25V |
| 48W |
| 表面贴装 |
| TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63 |
- 所属城市：广东 深圳
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N沟MOSF管IRFZ24NS
信息内容：TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET数据列表IRFZ24NS(LPbF)产品相片IRFS4228TRLPBF标准包装800类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C70 毫欧 @ 10A, 10V漏极至源极电压(Vdss)55V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C17AId 时的 Vgs(th)（）4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs20nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)370pF @ 25V功率 - 3.8W安装类型表面贴装封装/外壳TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB包装带卷 (TR)供应商设备封装D2PAK其它名称IRFZ24NSTRLPBF-NDIRFZ24NSTRLPBFTR
N沟MOSF管IRF3710S
信息内容：TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET数据列表IRF3710(S,L)PbF产品相片D2PAK, TO-263产品目录绘图IR Hexfet D2PAK标准包装800类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C23 毫欧 @ 28A, 10V漏极至源极电压(Vdss)100V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C57AId 时的 Vgs(th)（）4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs130nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)3130pF @ 25V功率 - 200W
