N沟MOSF管FDS6990A
| 价 格： | 2.40 | |
| 品牌/商标： | 其他 | |
| 型号/规格： | FDS6990A | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 开启电压： | 10（V） | |
| 夹断电压： | 10（V） | |
| 漏极电流： | 110（mA） |
| FDS6690A |
| 8-SOIC Pkg |
| High Voltage Switches for Power Processing |
| Cu Wirebond Change 12/Oct/2007 Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 2,500 |
| 分离式半导体产品 |
| MOSFET，GaNFET - 单 |
| PowerTrench® |
| MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 逻辑电平门 |
| 12.5 毫欧 @ 11A, 10V |
| 30V |
| 3V @ 250µA |
| 16nC @ 5V |
| 11A |
| 1205pF @ 15V |
| 1W |
| 表面贴装 |
| 8-SOIC（3.9mm 宽） |
| 带卷 (TR) |
- 所属城市：广东 深圳
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N沟MOSF管IRFR120N
信息内容：TO-252(D-PARK) 20V-800V, N沟MOSFET数据列表IRFR/U120NPbF产品相片TO-252-2产品目录绘图IR Hexfet DPak标准包装2,000类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C210 毫欧 @ 5.6A, 10V漏极至源极电压(Vdss)100V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C9.4AId 时的 Vgs(th)（）4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs25nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)330pF @ 25V功率 - 48W安装类型表面贴装封装/外壳TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63"
N沟MOSF管IRFZ24NS
信息内容：TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET数据列表IRFZ24NS(LPbF)产品相片IRFS4228TRLPBF标准包装800类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C70 毫欧 @ 10A, 10V漏极至源极电压(Vdss)55V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C17AId 时的 Vgs(th)（）4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs20nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)370pF @ 25V功率 - 3.8W安装类型表面贴装封装/外壳TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB包装带卷 (TR)供应商设备封装D2PAK其它名称IRFZ24NSTRLPBF-NDIRFZ24NSTRLPBFTR
