供应MOSFET管IRS2453DS
| 价 格： | 35.00 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 型号/规格： | IRS2453DSPBF | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | A/宽频带放大 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 开启电压： | 600（V） | |
| 夹断电压： | 10（V） |
IRS2453DS
| IRS2453D(S)PbF |
| 14-SOIC |
| 55 |
| 集成电路 (IC) |
| PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 |
| - |
| 高端和低端，同步 |
| 自振荡 |
| - |
| 180mA |
| 1 |
| 4 |
| 600V |
| 10 V ~ 16.6 V |
| -25°C ~ 125°C |
- 所属城市：广东 深圳
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N沟MOSF管FDS6990A
信息内容：数据列表FDS6690A产品相片8-SOIC Pkg产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing产品变化通告Cu Wirebond Change 12/Oct/2007Mold Compound Change 12/Dec/2007产品目录绘图Power MOSFET, 8-SOP, SO-8标准包装2,500类别分离式半导体产品家庭MOSFET，GaNFET - 单系列PowerTrench®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C12.5 毫欧 @ 11A, 10V漏极至源极电压(Vdss)30VId 时的 Vgs(th)（）3V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs16nC @ 5V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C11A在 Vds 时的输入电容(Ciss)1205pF @ 15V功率 - 1W安装类型表面贴装封装/外壳8-SOIC（3.9mm 宽）包装带卷 (TR)
N沟MOSF管IRFR120N
信息内容：TO-252(D-PARK) 20V-800V, N沟MOSFET数据列表IRFR/U120NPbF产品相片TO-252-2产品目录绘图IR Hexfet DPak标准包装2,000类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C210 毫欧 @ 5.6A, 10V漏极至源极电压(Vdss)100V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C9.4AId 时的 Vgs(th)（）4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs25nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)330pF @ 25V功率 - 48W安装类型表面贴装封装/外壳TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63"
