价 格: | 1.00 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
型号/规格: | IRF1010NS | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 55(V) | |
夹断电压: | 4(V) | |
跨导: | 11(μS) | |
极间电容: | 1(pF) | |
低频噪声系数: | 1(dB) | |
漏极电流: | 25(mA) | |
耗散功率: | 10(mW) |
TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET
IRF1010N(S,L)PbF |
D2PAK, TO-263 |
800 |
分离式半导体产品 |
FET - 单路 |
HEXFET® |
MOSFET N 通道,金属氧化物 |
标准型 |
11 毫欧 @ 43A, 10V |
55V |
85A |
4V @ 250µA |
120nC @ 10V |
3210pF @ 25V |
180W |
表面贴装 |
TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB |
IRS2453DS数据列表IRS2453D(S)PbF产品相片14-SOIC标准包装55类别集成电路 (IC)家庭PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关系列-配置高端和低端,同步输入类型自振荡延迟时间-电流 - 峰180mA配置数1输出数4高端电压 - (自引导启动)600V电源电压10 V ~ 16.6 V工作温度-25°C ~ 125°C
数据列表FDS6690A产品相片8-SOIC Pkg产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing产品变化通告Cu Wirebond Change 12/Oct/2007Mold Compound Change 12/Dec/2007产品目录绘图Power MOSFET, 8-SOP, SO-8标准包装2,500类别分离式半导体产品家庭MOSFET,GaNFET - 单系列PowerTrench®FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C12.5 毫欧 @ 11A, 10V漏极至源极电压(Vdss)30VId 时的 Vgs(th)()3V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs16nC @ 5V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C11A在 Vds 时的输入电容(Ciss)1205pF @ 15V功率 - 1W安装类型表面贴装封装/外壳8-SOIC(3.9mm 宽)包装带卷 (TR)