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N沟MOSF管IRF1010NS

价 格: 1.00
品牌/商标:IR/国际整流器
型号/规格:IRF1010NS
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
封装外形:SMD(SO)/表面封装
材料:N-FET硅N沟道
开启电压:55(V)
夹断电压:4(V)
跨导:11(μS)
极间电容:1(pF)
低频噪声系数:1(dB)
漏极电流:25(mA)
耗散功率:10(mW)

TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET

数据列表产品相片标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C漏极至源极电压(Vdss)电流 - 连续漏极(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)()闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - 安装类型封装/外壳
IRF1010N(S,L)PbF
D2PAK, TO-263
800
分离式半导体产品
FET - 单路
HEXFET®
MOSFET N 通道,金属氧化物
标准型
11 毫欧 @ 43A, 10V
55V
85A
4V @ 250µA
120nC @ 10V
3210pF @ 25V
180W
表面贴装
TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB
"

深圳市金广顺科技有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
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供应MOSFET管IRS2453DS

信息内容:

IRS2453DS数据列表IRS2453D(S)PbF产品相片14-SOIC标准包装55类别集成电路 (IC)家庭PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关系列-配置高端和低端,同步输入类型自振荡延迟时间-电流 - 峰180mA配置数1输出数4高端电压 - (自引导启动)600V电源电压10 V ~ 16.6 V工作温度-25°C ~ 125°C

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N沟MOSF管FDS6990A

信息内容:

数据列表FDS6690A产品相片8-SOIC Pkg产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing产品变化通告Cu Wirebond Change 12/Oct/2007Mold Compound Change 12/Dec/2007产品目录绘图Power MOSFET, 8-SOP, SO-8标准包装2,500类别分离式半导体产品家庭MOSFET,GaNFET - 单系列PowerTrench®FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C12.5 毫欧 @ 11A, 10V漏极至源极电压(Vdss)30VId 时的 Vgs(th)()3V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs16nC @ 5V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C11A在 Vds 时的输入电容(Ciss)1205pF @ 15V功率 - 1W安装类型表面贴装封装/外壳8-SOIC(3.9mm 宽)包装带卷 (TR)

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