供应MOS场效应管芯片、晶圆、裸片IRF540
| 价 格： | 面议 | |
| 封装外形： | WAFER/裸芯片 | |
| 型号/规格： | IRF540 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 品牌/商标： | 进口 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 导电方式： | 耗尽型 |
我司经销MOS场效应管芯片/晶圆IRF540，质量保证。
该芯片在采用适当的封装工艺以后，可以形成多种封装形式的VDMOS 场效应晶体管，主要用于汽车安定器、UPS 电源。
芯片型号Model | IRF540 |
芯片尺寸： | 3.02*4.5 |
正面电极金属 | 铝 |
背面电极金属 | 银 |
| 硅片直径(MM) | φ125 |
VDSS | 100V |
ID | 33A |
我司可提供相关型号详细资料。
我们真诚地希望各生产企业、贸易公司建立友好、互利的合作关系，共同发展！
- 所属城市：广东
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 刘明
- 电话：86075588391297/88391097
- 传真：86075588391297
- 手机：13714618696
- QQ ：
供应MOS场效应管芯片、晶圆、裸片1N60
信息内容：我司经销MOS场效应管芯片/晶圆1N60，质量保证。The UTC 1N60 is a high voltage MOSFET and is designed tohave better characteristics, such as fast switching time, low gatecharge, low on-state resistance and have a high ruggedavalanche characteristics. This power MOSFET is usually used athigh speed switching applications in power supplies, PWM motorcontrols, high efficient DC to DC converters and bridge circuits. 我司可提供相关型号详细资料。 我们真诚地希望各生产企业、贸易公司建立友好、互利的合作关系，共同发展！
供应 双向可控硅芯片、裸片、晶圆
信息内容：Wafer Diameter ----100mmWafer Thickness -----(290 ± 20)μmDie Size -----(1.5 × 1.5)mmScribe Line Width---- 80μmGate Pad------ (220 × 220)μmCathode Pad -----(445 × 445)μmMetallizationPlanar Side -------Al (2.0 – 2.2)μmCollector Side----- Ti (0.1 ± 0.02)μmNi------ (0.5 ± 0.10)μmAg ------(0.6 ± 0.10)μmRepetitive Peak Off-State Voltages（ VDRM,VRRM） ----600 /800VRMS On-State Current IT (RMS) ------ 1APeak Non-repetitive Surge Current ITSM ------ 8A( Sine Wave, f = 50Hz,t = 20ms, Tj =25°С)
