肖特基二极管SS28.DO-214AC
| 价 格： | 0.50 | |
| 产品类型： | 肖特基管 | |
| 是否进口： | 是 | |
| 品牌/商标： | 国产 | |
| 型号/规格： | SS28 | |
| 材料： | 其他 | |
| 封装材料： | 塑料封装 | |
| 出光面特征： | 微型管 | |
| 封装形式： | 贴片型 |
NADiodes- Schottky 2A 40V
| SS22-210 |
| SS28-TP |
| Diode Handling and Mounting |
| MCC Diode DO-214AC Pkg |
| 3,000 |
| 分离式半导体产品 |
| 单二极管/整流器 |
| - |
| 850mV @ 2A |
| 80V |
| 2A |
| 500µA @ 80V |
| 肖特基 |
| 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA (Io) |
| - |
| - |
| 表面贴装 |
| DO-214AC, SMA |
| SMA |
| 带卷 (TR) |
- 所属城市：广东 深圳
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N沟MOSF管IRFZ34NS
信息内容：TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET数据列表IRFZ34NSPbF, IRFZ34NLPbF产品相片D2PAK, TO-263标准包装800类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C40 毫欧 @ 16A, 10V漏极至源极电压(Vdss)55V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C29AId 时的 Vgs(th)（）4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs34nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)700pF @ 25V功率 - 3.8W安装类型表面贴装封装/外壳TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB包装带卷 (TR)
N沟MOSF管IRF7401
信息内容：SO8, N沟MOSFET数据列表IRF7401PbF产品相片8-SOIC产品目录绘图IR Hexfet 8-SOIC标准包装4,000类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C22 毫欧 @ 4.1A, 4.5V漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8.7AId 时的 Vgs(th)（）700mV @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs48nC @ 4.5V在 Vds 时的输入电容(Ciss)1600pF @ 15V功率 - 2.5W安装类型表面贴装封装/外壳8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽）供应商设备封装8-SO包装带卷 (TR)"
