N沟MOSF管IRF7401
| 价 格： | 2.00 | |
| 品牌/商标： | 其他 | |
| 型号/规格： | IRF7401 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 20（V） | |
| 夹断电压： | 4.5（V） | |
| 跨导： | 0（μS） | |
| 极间电容： | 0（pF） | |
| 低频噪声系数： | 0（dB） | |
| 漏极电流： | 0（mA） | |
| 耗散功率： | 0（mW） |
SO8, N沟MOSFET
| IRF7401PbF |
| 8-SOIC |
| IR Hexfet 8-SOIC |
| 4,000 |
| 分离式半导体产品 |
| FET - 单路 |
| HEXFET® |
| MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 逻辑电平门 |
| 22 毫欧 @ 4.1A, 4.5V |
| 20V |
| 8.7A |
| 700mV @ 250µA |
| 48nC @ 4.5V |
| 1600pF @ 15V |
| 2.5W |
| 表面贴装 |
| 8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽） |
| 8-SO |
| 带卷 (TR) |
深圳市金广顺科技有限公司
公司信息未核实
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 孔维年
- 电话：
- 传真：
- 手机：
- QQ ：
公司相关产品
N沟MOSF管IRF7402
信息内容：SO8, N沟MOSFET数据列表IRF7402PbF产品相片8-SOIC产品目录绘图IR Hexfet 8-SOIC标准包装4,000类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C35 毫欧 @ 4.1A, 4.5V漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6.8AId 时的 Vgs(th)（）700mV @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs22nC @ 4.5V在 Vds 时的输入电容(Ciss)650pF @ 15V功率 - 2.5W安装类型表面贴装封装/外壳8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽）供应商设备封装8-SO包装带卷 (TR)
N沟MOSF管IRF1010NS
信息内容：TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET数据列表IRF1010N(S,L)PbF产品相片D2PAK, TO-263标准包装800类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C11 毫欧 @ 43A, 10V漏极至源极电压(Vdss)55V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C85AId 时的 Vgs(th)（）4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs120nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)3210pF @ 25V功率 - 180W安装类型表面贴装封装/外壳TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB"
