N沟MOSF管IRFZ34NS
| 价 格： | 12.00 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 型号/规格： | IRFZ34NS | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料： | GE-N-FET锗N沟道 | |
| 开启电压： | 55（V） | |
| 夹断电压： | 25（V） | |
| 跨导： | 0（μS） | |
| 极间电容： | 0（pF） | |
| 低频噪声系数： | 0（dB） | |
| 漏极电流： | 0（mA） | |
| 耗散功率： | 0（mW） |
TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET
| IRFZ34NSPbF, IRFZ34NLPbF |
| D2PAK, TO-263 |
| 800 |
| 分离式半导体产品 |
| FET - 单路 |
| HEXFET® |
| MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 标准型 |
| 40 毫欧 @ 16A, 10V |
| 55V |
| 29A |
| 4V @ 250µA |
| 34nC @ 10V |
| 700pF @ 25V |
| 3.8W |
| 表面贴装 |
| TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB |
| 带卷 (TR) |
- 所属城市：广东 深圳
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N沟MOSF管IRF7401
信息内容：SO8, N沟MOSFET数据列表IRF7401PbF产品相片8-SOIC产品目录绘图IR Hexfet 8-SOIC标准包装4,000类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C22 毫欧 @ 4.1A, 4.5V漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8.7AId 时的 Vgs(th)（）700mV @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs48nC @ 4.5V在 Vds 时的输入电容(Ciss)1600pF @ 15V功率 - 2.5W安装类型表面贴装封装/外壳8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽）供应商设备封装8-SO包装带卷 (TR)"
N沟MOSF管IRF7402
信息内容：SO8, N沟MOSFET数据列表IRF7402PbF产品相片8-SOIC产品目录绘图IR Hexfet 8-SOIC标准包装4,000类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C35 毫欧 @ 4.1A, 4.5V漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6.8AId 时的 Vgs(th)（）700mV @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs22nC @ 4.5V在 Vds 时的输入电容(Ciss)650pF @ 15V功率 - 2.5W安装类型表面贴装封装/外壳8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽）供应商设备封装8-SO包装带卷 (TR)
