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供应 场效应管IRFB38N20DPBF原装进口

价 格: 5.10
品牌/商标:IR/国际整流器
型号/规格:IRFB38N20DPBF
种类:结型(JFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:耗尽型
用途:MIX/混频
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
材料:ALGaAS铝镓砷

类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
 
FET 特点 标准型
 
漏极至源极电压(Vdss) 200V
 
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 43A
 
开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 54 毫欧 @ 26A, 10V
 
Id 时的 Vgs(th)() 5V @ 250µA
 
闸电荷(Qg) @ Vgs 91nC @ 10V
 
输入电容 (Ciss) @ Vds 2900pF @ 25V
 
功率 - 3.8W
 
安装类型 通孔
 
封装/外壳 TO-220-3
 
供应商设备封装 TO-220AB
 
包装 管件
 
产品目录页面 1518 (CN2011-ZH PDF)
 
其它名称 *IRFB38N20DPBF

结型场效应管 深圳市耿城科技有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 苏志远
  • 电话:
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供应 IC 芯片IRF840原装进口

信息内容:

IRF840 PDF文档链接:http://pdf1.alldatasheetcn.com/datasheet-pdf/view/3045/MOTOROLA/IRF840.html晶体管极性:ñ频道电流, Id 连续:8A电压, Vds :500V在电阻RDS(上):850mohm功耗, Pd:125W封装类型:TO-220针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (20-Jun-2011)功率, Pd:125W功耗:125W单脉冲雪崩能量 Eas:520mJ封装类型:TO-220 (SOT-78B)封装类型, 替代:SOT-78B引脚节距:2.54mm总功率, Ptot:125W时间, trr 典型值:384ns晶体管数:1温度 @ 电流测量:25°C满功率温度:25°C电容值, Ciss 典型值:832pF电流, Idm 脉冲:32A通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:850mohm针脚格式:1G, (2 Tab)D, 3S针脚配置:a阈值电压, Vgs th :2V阈值电压, Vgs th :4V

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供应 IC 芯片IRFP240原装进口

信息内容:

类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 -FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 20A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 180 毫欧 @ 12A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 70nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 1300pF @ 25V 功率 - 150W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-247-3 供应商设备封装 TO-247-3 包装 管件 产品目录页面 1529 (CN2011-ZH PDF) 其它名称 *IRFP240PBF

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