| 价 格: | 3.42 | |
| 品牌: | IR/国际整流器 | |
| 型号: | IR2104S | |
| 种类: | 结型(JFET) | |
| 沟道类型: | N沟道 | |
| 导电方式: | 耗尽型 | |
| 用途: | MOS-FBM/全桥组件 | |
| 封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料: | MES金属半导体 | |
| 开启电压: | 30(V) | |
| 夹断电压: | 1(V) | |
| 跨导: | 04(μS) | |
| 极间电容: | 01(pF) | |
| 低频噪声系数: | 1(dB) | |
| 漏极电流: | 1(mA) | |
| 耗散功率: | 1(mW) |
| IR2104(S)(PbF) |
| 8-SOIC |
| 95 |
| 積體電路(IC) |
| PMIC - MOSFET,電橋驅動器 - 外部開關 |
| - |
| 半橋 |
| 非反相 |
| 680ns |
| 210mA |
| 1 |
| 2 |
| 600V |
| 10 V ~ 20 V |
| -40°C ~ 125°C |
| 表面黏著式 |
| 8-SOIC (0.154", 3.90mm寬) |
| 8-SOICN |
| 管裝 |
| *IR2104S |
IRF540NPBF IRF540N IRF540您的位置:首页> 产品详细资料 :IRF540NPBF MOSFET 100V/28A N 无铅 6073*E-MAIL给朋友1打印此页详细信息图片 100Y编号:6073 厂商编号:IRF540NPBF 制造厂商:IR 所在分类:31﹒IR_功率场效电晶体 参数说明 Description IR_HEXFET 电源MOSFET Pins/Package 3P/TO-220AB Pd(max.) 150W Id(max.) 28A Vds(max.) 100V N/P Ch. N-Ch. Rds(on)(max.) Ω 0.077Ω产品目录 & 制造厂商技术资料dzsc/18/8674/18867456.jpg产品目录-Catalog Pagedzsc/18/8674/18867456.jpg制造厂商技术资料-Data SheetIRF540NPBFdzsc/18/8674/18867456.jpg( 查看原图 )询价 数 量:
規格書ZXMN6A11G SERIES產品相片SOT-223-4 Pkg產品目錄繪圖SOT-223SOT-223 Footprint標準包裝1,000類別離散半導體產品家庭MOSFET,GaNFET - 單系列-FET型MOSFET N通道,金屬氧化物FET特點邏輯電平閘極開態Rds()@ Id, Vgs @ 25° C120 毫歐姆 @ 2.5A, 10V漏極至源極的電壓(Vdss)60VId時的Vgs(th)(值)1V @ 250µA閘電流(Qg) @ Vgs5.7nC @ 10V電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C3.1AVds時的輸入電容(Ciss)330pF @ 40V功率 - 2W安裝類型表面黏著式封裝/外殼SOT-223(3引線 + 接頭),SC-73,TO-261AA封裝編帶和捲軸封裝(TR)產品目錄頁面1380 (TW091-10 PDF)其他名稱ZXMN6A11GTR"