价 格: | 2.00 | |
品牌: | INFINEON/英飞凌 | |
型号: | 8N60 TO-220F | |
种类: | 结型(JFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | MOS-INM/独立组件 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | GE-N-FET锗N沟道 | |
开启电压: | 60(V) | |
夹断电压: | 300(V) | |
跨导: | 29(μS) | |
极间电容: | 60(pF) | |
低频噪声系数: | 23(dB) | |
漏极电流: | 1(mA) | |
耗散功率: | 1(mW) |
dzsc/18/8669/18866987.jpg
质优价优
名称 | 封装 | 最少包装数量 |
MOS管8N60 | TO-220F | 50 |
dzsc/18/9999/18999963.jpg质优价优名称封装最少包装数量MOS管 4N60TO-220F50
dzsc/19/0083/19008349.jpg名称封装最少包装数量MOS管 10N60TO-220F50 "