价 格: | 2.50 | |
品牌: | INFINEON/英飞凌 | |
型号: | 10N60 TO-220F | |
种类: | 结型(JFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | MOS-ARR/陈列组件 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | GE-N-FET锗N沟道 | |
开启电压: | 60(V) | |
夹断电压: | 300(V) | |
跨导: | 34(μS) | |
极间电容: | 32(pF) | |
低频噪声系数: | 53(dB) | |
漏极电流: | 1(mA) | |
耗散功率: | 1(mW) |
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名称 | 封装 | 最少包装数量 |
MOS管 10N60 | TO-220F | 50 |