价 格: | 1.25 | |
品牌: | INFINEON/英飞凌 | |
型号: | 4N60 TO-220F | |
种类: | 结型(JFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | MOS-FBM/全桥组件 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | GE-N-FET锗N沟道 | |
开启电压: | 50(V) | |
夹断电压: | 500(V) | |
跨导: | 50(μS) | |
极间电容: | 68(pF) | |
低频噪声系数: | 98(dB) | |
漏极电流: | 0.01(mA) | |
耗散功率: | 10(mW) |
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质优价优
名称 | 封装 | 最少包装数量 |
MOS管 4N60 | TO-220F | 50 |
dzsc/19/0083/19008349.jpg名称封装最少包装数量MOS管 10N60TO-220F50 "