供应 场效应管IRFR420原装进口
| 价 格： | 2.30 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 型号/规格： | IRFR420 | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | MOS-ARR/陈列组件 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料： | GE-N-FET锗N沟道 |
数据列表 IRFR420, IRFU420
产品相片 TO-252
标准包装 3,000
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准型
漏极至源极电压(Vdss) 500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 2.4A
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 3 欧姆 @ 1.4A, 10V
Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 19nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 360pF @ 25V
功率 - 2.5W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63
供应商设备封装 D-Pak
包装 管件
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 苏志远
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供应 场效应管IRFB38N20DPBF原装进口
信息内容：类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 43A 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 54 毫欧 @ 26A, 10V Id 时的 Vgs(th)（） 5V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 91nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 2900pF @ 25V 功率 - 3.8W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件 产品目录页面 1518 (CN2011-ZH PDF) 其它名称 *IRFB38N20DPBF
供应 IC 芯片IRF840原装进口
信息内容：IRF840 PDF文档链接：http://pdf1.alldatasheetcn.com/datasheet-pdf/view/3045/MOTOROLA/IRF840.html晶体管极性:ñ频道电流, Id 连续:8A电压, Vds :500V在电阻RDS（上）:850mohm功耗, Pd:125W封装类型:TO-220针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (20-Jun-2011)功率, Pd:125W功耗:125W单脉冲雪崩能量 Eas:520mJ封装类型:TO-220 (SOT-78B)封装类型, 替代:SOT-78B引脚节距:2.54mm总功率, Ptot:125W时间, trr 典型值:384ns晶体管数:1温度 @ 电流测量:25°C满功率温度:25°C电容值, Ciss 典型值:832pF电流, Idm 脉冲:32A通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:850mohm针脚格式:1G, (2 Tab)D, 3S针脚配置:a阈值电压, Vgs th :2V阈值电压, Vgs th :4V
