ST意法半导体IGBT晶体管三极管 STGF3NC120HD
| 价 格： | 面议 | |
| 是否提供加工定制： | 否 | |
| 品牌/商标： | ST/意法 | |
| 型号/规格： | STGF3NC120HD | |
| 应用范围： | 高反压 | |
| 材料： | 硅(Si) | |
| 极性： | NPN型 | |
| 击穿电压VCEO： | 1200（V） | |
| 集电极允许电流ICM： | 6（A） | |
| 集电极耗散功率PCM： | 25（W） | |
| 结构： | 扩散型 | |
| 封装形式： | 直插型 | |
| 封装材料： | 塑料封装 |
| 50 |
| 分离式半导体产品 |
| IGBT - 单路 |
| PowerMESH™ |
| - |
| 1200V |
| 2.8V @ 15V, 3A |
| 6A |
| 25W |
| 标准型 |
| 通孔 |
| TO-220-3 整包 |
| TO-220FP |
| 管件 |
- 所属城市：广东 深圳
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FSC仙童功率场效应管 FQPF8N60 全新原装 质量保证!
信息内容：制造商: Fairchild Semiconductor 产品种类: MOSFET 功率 RoHS: 详细信息 配置: Single 晶体管极性: N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 1.2 Ohms 正向跨导 gFS（值/最小值） : 8.7 S 汲极/源极击穿电压: 600 V 闸/源击穿电压: +/- 30 V 漏极连续电流: 7.5 A 功率耗散: 48 W 工作温度: + 150 C 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-220F 封装: Tube 最小工作温度: - 55 C Standard Pack Qty: 50 零件号别名: FQPF8N60C_NL
