价 格: | 面议 | |
型号/规格: | D44H11/D45H11 | |
品牌/商标: | ST | |
封装形式: | TO-220 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 直插式 | |
包装方式: | 散装 | |
功率特性: | | |
频率特性: | | |
极性: | |
技术/目录信息 | D44H11 |
制造商 | ST |
分类 | 分离式半导体产品 |
晶体管类型 | NPN |
电压 - 集电极发射极击穿() | 80V |
电流 - 集电极 (Ic)() | 10A |
功率 - | 50W |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 2A, 1V |
Ib、Ic条件下的Vce饱和度() | 1V @ 400mA, 8A |
Frequency - Transistion | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | - |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 (Straight Leads) |
无铅状态 | Lead Free |
ROHS状态 | RoHS Compliant |
其它名称 | D44H11 |
型号 | D45H5, D45H8, D45H11 |
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封装 | TO-220 Pkg |
制造商 | ST |
标准包装 | 50 |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | 晶体管(BJT) - 单路 |
系列 | - |
晶体管类型 | PNP |
电流 - 集电极 (Ic)() | 10A |
电压 - 集电极发射极击穿() | 80V |
Ib、Ic条件下的Vce饱和度() | 1V @ 400mA, 8A |
电流 - 集电极截止() | 10µA |
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 40 @ 4A, 1V |
功率 - | 50W |
频率 - 转换 | - |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 (直引线) |
包装 |
管件 |
2SC5207ASilicon NPN Triple Diffused Planar ApplicationCharacter display horizontal deflection outputFeatures· High speed switchingtf = 0.2 μsec (typ)· Wide drive current capability Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)Item Symbol Ratings UnitCollector to base voltage VCBO 1500 VCollector to emitter voltage VCEO 800 VEmitter to base voltage VEBO 6 VCollector current IC 10 ACollector surge current IC(surge) 20 ACollector power dissipation PC*1 50 WJunction temperature Tj 150 °CStorage temperature Tstg –55 to +150 °C
供应900V,3A,40W NPN MOS管2SC3979 供应1000V,3A,40W NPN MOS管2SC3979A