价 格: | 0.01 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
型号/规格: | FQPF8N60 | |
材料: | ALGaAS铝镓砷 | |
用途: | MOS-FBM/全桥组件 | |
品牌/商标: | FAIRCHILD/仙童 | |
沟道类型: | N沟道 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
导电方式: | 耗尽型 |
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET 功率
RoHS: 详细信息
配置: Single
晶体管极性: N-Channel
电阻汲极/源极 RDS(导通): 1.2 Ohms
正向跨导 gFS(值/最小值) : 8.7 S
汲极/源极击穿电压: 600 V
闸/源击穿电压: +/- 30 V
漏极连续电流: 7.5 A
功率耗散: 48 W
工作温度: + 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220F
封装: Tube
最小工作温度: - 55 C
Standard Pack Qty: 50
零件号别名: FQPF8N60C_NL
类别集成电路 (IC)家庭PMIC - 稳压器 - 线性系列-稳压器拓扑结构正,固定式输出电压6V输入电压 35V电压 - 压降(标准)2V @ 1A稳压器数量1电流 - 输出1.5A电流 - 限制(最小)-工作温度0°C ~ 125°C安装类型表面贴装封装/外壳TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB供应商设备封装D2PAK
制造商: Fairchild Semiconductor 产品种类: IGBT 晶体管 RoHS: 详细信息 配置: Single 集电极—发射极电压 VCEO: 600 V 集电极—射极饱和电压: 1.8 V 栅极/发射极电压: +/- 20 V Continuous Collector Current at 25 C: 75 A 栅极—射极漏泄电流: +/- 250 nA 功率耗散: 463 W 工作温度: + 150 C 封装 / 箱体: TO-247-3 封装: Tube 集电极连续电流 Ic: 75 A 最小工作温度: - 55 C 安装风格: Through Hole 零件号别名: HGTG30N60A4D_NL "