价 格: | 面议 | |
加工定制: | 是 | |
品牌/商标: | FAIRCHILD/仙童 | |
型号/规格: | HGTG30N60A4D | |
应用范围: | 振荡 | |
材料: | 硅(Si) | |
极性: | NPN型 | |
击穿电压VCEO: | 33(V) | |
集电极允许电流ICM: | 33(A) | |
集电极耗散功率PCM: | 33(W) | |
截止频率fT: | 44(MHz) | |
结构: | 点接触型 | |
封装形式: | 直插型 | |
封装材料: | 金属封装 |
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 详细信息
配置: Single
集电极—发射极电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.8 V
栅极/发射极电压: +/- 20 V
Continuous Collector Current at 25 C: 75 A
栅极—射极漏泄电流: +/- 250 nA
功率耗散: 463 W
工作温度: + 150 C
封装 / 箱体: TO-247-3
封装: Tube
集电极连续电流 Ic: 75 A
最小工作温度: - 55 C
安装风格: Through Hole
零件号别名: HGTG30N60A4D_NL
标准包装250类别分离式半导体产品家庭三端双向可控硅开关系列-三端双向可控硅开关类型逻辑 - 灵敏栅极电压 - 断路600V电流 - 导通状态 (It (RMS))()4A电压 - 栅极触发器 (Vgt)()1.3V电流 - 非重复电涌,50、60Hz (Itsm)20A,21A电流 - 栅极触发电流 (Igt)()3mA电流 - 维持(Ih)3mA配置单一安装类型通孔封装/外壳TO-202 无接片供应商设备封装TO-202包装管件
标准包装50类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列TrenchMOS™FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点Standard开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C10 毫欧 @ 25A, 10V漏极至源极电压(Vdss)100V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C75AId 时的 Vgs(th)()4V @ 1mA闸电荷(Qg) @ Vgs80nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)6773pF @ 25V功率 - 300W安装类型通孔封装/外壳TO-220-3供应商设备封装TO-220AB包装管件"