价 格: | 面议 | |
是否提供加工定制: | 否 | |
品牌/商标: | FAIRCHILD/仙童 | |
型号/规格: | BUK7510-100B | |
应用范围: | 达林顿 | |
材料: | 硅(Si) | |
极性: | NPN型 | |
击穿电压VCBO: | 100(V) | |
集电极允许电流ICM: | 75(A) | |
集电极耗散功率PCM: | 300(W) | |
截止频率fT: | FSC(MHz) | |
结构: | 外延型 | |
封装形式: | 直插型 | |
封装材料: | 树脂封装 |
50 |
分离式半导体产品 |
FET - 单路 |
TrenchMOS™ |
MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Standard |
10 毫欧 @ 25A, 10V |
100V |
75A |
4V @ 1mA |
80nC @ 10V |
6773pF @ 25V |
300W |
通孔 |
TO-220-3 |
TO-220AB |
管件 |
标准包装100类别集成电路 (IC)家庭PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 内部开关系列OMNIFET II™, VIPower™类型低端输入类型非反相输出数1导通状态电阻60 毫欧电流 - 输出 / 通道6A电流 - 峰值输出9A电源电压-工作温度-40°C ~ 150°C安装类型表面贴装封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)供应商设备封装8-SO包装管件
标准包装500类别分离式半导体产品家庭FET - 单系列-FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)500V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C20A开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C270 毫欧 @ 12A, 10VId 时的 Vgs(th)()4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs120nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)3600pF @ 25V功率 - 280W安装类型通孔封装/外壳TO-247-3供应商设备封装TO-247-3包装管件"