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专营仙童场效应管FQP9N50C

价 格: 1.00
品牌:FAIRCHILD/仙童
型号:FQP9N50C
种类:结型(JFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:耗尽型
用途:MOS-TPBM/三相桥
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
材料:ALGaAS铝镓砷
开启电压:33(V)
夹断电压:33(V)
跨导:33(μS)
极间电容:33(pF)
低频噪声系数:33(dB)
漏极电流:33(mA)
耗散功率:33(mW)

制造商:  Fairchild Semiconductor   
 
产品种类:  MOSFET 功率   
 
RoHS:   详细信息  
 
配置:  Single   
 
晶体管极性:  N-Channel   
 
电阻汲极/源极 RDS(导通):  0.8 Ohms   
 
正向跨导 gFS(值/最小值) :  6.5 S   
 
汲极/源极击穿电压:  500 V   
 
闸/源击穿电压:  +/- 30 V   
 
漏极连续电流:  9 A   
 
功率耗散:  135 W   
 
工作温度:  + 150 C   
 
安装风格:  Through Hole   
 
封装 / 箱体:  TO-220   
 
封装:  Tube   
 
最小工作温度:  - 55 C  
 
零件号别名:  FQP9N50C_NL 
 

结型场效应管 深圳市福田区宏诚辉电子商行
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
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ST进口原装场效应管 STF5NK100Z F5NK100Z 现货

信息内容:

ST进口原装场效应管 STF5NK100Z F5NK100Z ST进口原装场效应管 STF5NK100Z F5NK100Z STF5NK100Z F5NK100Z产品规格 参数 Datasheets STx5NK100ZProduct Photos TO-220ABCatalog Drawings ST Series TO-220FP, TO-3PFStandard Package 50Category Discrete Semiconductor ProductsFamily FETs - SingleSeries SuperMESH™FET Type MOSFET N-Channel, Metal OxideFET Feature StandardDrain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 3.5ARds On (Max) @ Id, Vgs 3.7 Ohm @ 1.75A, 10VVgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µAGate Charge (Qg) @ Vgs 59nC @ 10VInput Capacitance (Ciss) @ Vds 1154pF @ 25VPower - Max 30WMounting Type Through HolePackage / Case TO-220-3 Full PackSupplier Device Package TO-220FPPackaging TubeCatalog Page 1322 (US2011 Interactive)1322 (US2011 PDF)Other Names 497-4344-5

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专营仙童MOS管FCPF11N60NT 11n60

信息内容:

制造商: Fairchild Semiconductor 产品种类: MOSFET 功率 RoHS: 详细信息 配置: Single 晶体管极性: N-Channel 电阻汲极/源极 RDS(导通): 0.255 Ohms at 10 V 正向跨导 gFS(值/最小值) : 13.5 S 汲极/源极击穿电压: 600 V 漏极连续电流: 6.8 A to 10.8 A 功率耗散: 32.1 W 工作温度: + 150 C 封装: Tube 最小工作温度: - 55 C

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