价 格: | 1.00 | |
品牌: | FAIRCHILD/仙童 | |
型号: | FQP9N50C | |
种类: | 结型(JFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 耗尽型 | |
用途: | MOS-TPBM/三相桥 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | ALGaAS铝镓砷 | |
开启电压: | 33(V) | |
夹断电压: | 33(V) | |
跨导: | 33(μS) | |
极间电容: | 33(pF) | |
低频噪声系数: | 33(dB) | |
漏极电流: | 33(mA) | |
耗散功率: | 33(mW) |
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET 功率
RoHS: 详细信息
配置: Single
晶体管极性: N-Channel
电阻汲极/源极 RDS(导通): 0.8 Ohms
正向跨导 gFS(值/最小值) : 6.5 S
汲极/源极击穿电压: 500 V
闸/源击穿电压: +/- 30 V
漏极连续电流: 9 A
功率耗散: 135 W
工作温度: + 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220
封装: Tube
最小工作温度: - 55 C
零件号别名: FQP9N50C_NL
ST进口原装场效应管 STF5NK100Z F5NK100Z ST进口原装场效应管 STF5NK100Z F5NK100Z STF5NK100Z F5NK100Z产品规格 参数 Datasheets STx5NK100ZProduct Photos TO-220ABCatalog Drawings ST Series TO-220FP, TO-3PFStandard Package 50Category Discrete Semiconductor ProductsFamily FETs - SingleSeries SuperMESH™FET Type MOSFET N-Channel, Metal OxideFET Feature StandardDrain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 3.5ARds On (Max) @ Id, Vgs 3.7 Ohm @ 1.75A, 10VVgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µAGate Charge (Qg) @ Vgs 59nC @ 10VInput Capacitance (Ciss) @ Vds 1154pF @ 25VPower - Max 30WMounting Type Through HolePackage / Case TO-220-3 Full PackSupplier Device Package TO-220FPPackaging TubeCatalog Page 1322 (US2011 Interactive)1322 (US2011 PDF)Other Names 497-4344-5
制造商: Fairchild Semiconductor 产品种类: MOSFET 功率 RoHS: 详细信息 配置: Single 晶体管极性: N-Channel 电阻汲极/源极 RDS(导通): 0.255 Ohms at 10 V 正向跨导 gFS(值/最小值) : 13.5 S 汲极/源极击穿电压: 600 V 漏极连续电流: 6.8 A to 10.8 A 功率耗散: 32.1 W 工作温度: + 150 C 封装: Tube 最小工作温度: - 55 C