价 格: | 0.10 | |
品牌: | FAIRCHILD/仙童 | |
型号: | FCPF11N60NT | |
种类: | 结型(JFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 耗尽型 | |
用途: | MOS-INM/独立组件 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | GaAS-FET砷化镓 | |
开启电压: | 33(V) | |
夹断电压: | 2(V) | |
跨导: | 22(μS) | |
极间电容: | 22(pF) | |
低频噪声系数: | 22(dB) | |
漏极电流: | 33(mA) | |
耗散功率: | 33(mW) |
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET 功率
RoHS: 详细信息
配置: Single
晶体管极性: N-Channel
电阻汲极/源极 RDS(导通): 0.255 Ohms at 10 V
正向跨导 gFS(值/最小值) : 13.5 S
汲极/源极击穿电压: 600 V
漏极连续电流: 6.8 A to 10.8 A
功率耗散: 32.1 W
工作温度: + 150 C
封装: Tube
最小工作温度: - 55 C
IGBT场效应管集成块 原装现货 FGH60N60SFD FGH60N60 IGBT场效应管集成块 原装现货 FGH60N60SFD FGH60N60 FGH60N60SFD FGH60N60产品规格 参数 数据列表 FGH60N60SFD 产品相片 FGH60N60SFDTU 产品目录绘图 IGBT TO-247 Package 标准包装 150类别 分离式半导体产品家庭 IGBT - 单路系列 -IGBT 类型 场截止 电压 - 集电极发射极击穿() 600V Vge, Ic时的Vce(开) 2.9V @ 15V, 60A 电流 - 集电极 (Ic)() 120A 功率 - 378W 输入类型 标准型 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-247-3 供应商设备封装 TO-247 包装 管件 产品目录页面 1610 (CN2011-ZH PDF
产品图片dzsc/18/8666/18866624.jpg 仙童产品 FDP6670AL,FQD12P10,FDU6680 ,FDS6685,FDS6688FDS7066SN3,FDD8896,FQU11P06,NDC652,SFR9224FDD6680 ,ISL9N312,NDS9435,FDS6990A,FQP4N20SFS9634,FDB667,FDS6676AS,FDB6670A,HUF76107RFD16N05,FDS7064N,FQD2N50,FQD5N20,NDS9435AFDS7760A,FDU8896,FDD6670,SFR9310,FDD6680FDD6680A,FQD13N06,FQD3P50,FQPF3N50,ISL9N308FDD8447,FQD60N03L-422,D15P05,FDD16AN08FDD6630,FQD60N03,FQP60N03,RFD3055,IRFS654SDB75N03,FQD20N06,FDS6990A ,FDS8958A,HUF76129ISL9N308AD3ST,FDB8870 ,FDD6296,FDD8878,FDB8896D10P05,FDB7030,FDB8860,FQPF19N10,NDB603FDP047AN08AO,HUF76419,FDU8896-609,FQP17N40FDS6982S,FDS9926A,ISL9N312AD3ST,FQB140N03FQB34N20,NDB6030,IRL610,HUF76409D3,RFP45N03LFDD6030L,FDS6688 ,FDD120AN15,FDB6035,SFR9224TMISL9N304,FDS4435,IRF630,RFP70N03,FDD6030FQD24N08,SSU2N60,IRFS654B定型脚,ISL9N306AS3STFDD6670A,FDP6030BL,FDD6690A ,FDD6690,FDP6035ALFQD1N80,FDB8880,FDD6690A,FDS3672,FDS6912ASFS9634,SFU9214,FDD8882,RFD15P05,ISL9N308AD3STHUF75329,ISL9N306,FDS4935A,FQD2N80,HUF75307IRFS730,ISL9N303...