ST进口原装场效应管 STF5NK100Z F5NK100Z 现货
| 价 格： | 面议 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 型号/规格： | STF5NK100Z F5NK100Z | |
| 材料： | P-FET硅P沟道 | |
| 用途： | MOS-TPBM/三相桥 | |
| 品牌/商标： | ST/意法 | |
| 沟道类型： | P沟道 | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 导电方式： | 耗尽型 |
ST进口原装场效应管 STF5NK100Z F5NK100Z
ST进口原装场效应管 STF5NK100Z F5NK100Z
STF5NK100Z F5NK100Z产品规格 参数
Datasheets STx5NK100Z
Product Photos TO-220AB
Catalog Drawings ST Series TO-220FP, TO-3PF
Standard Package 50
Category Discrete Semiconductor Products
Family FETs - Single
Series SuperMESH™
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 3.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7 Ohm @ 1.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 59nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1154pF @ 25V
Power - Max 30W
Mounting Type Through Hole
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Supplier Device Package TO-220FP
Packaging Tube
Catalog Page 1322 (US2011 Interactive)
1322 (US2011 PDF)
Other Names 497-4344-5
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 陈义伟
- 电话：
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专营仙童MOS管FCPF11N60NT 11n60
信息内容：制造商: Fairchild Semiconductor 产品种类: MOSFET 功率 RoHS: 详细信息 配置: Single 晶体管极性: N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.255 Ohms at 10 V 正向跨导 gFS（值/最小值） : 13.5 S 汲极/源极击穿电压: 600 V 漏极连续电流: 6.8 A to 10.8 A 功率耗散: 32.1 W 工作温度: + 150 C 封装: Tube 最小工作温度: - 55 C
IGBT场效应管集成块 原装现货 FGH60N60SFD FGH60N60特价
信息内容：IGBT场效应管集成块 原装现货 FGH60N60SFD FGH60N60 IGBT场效应管集成块 原装现货 FGH60N60SFD FGH60N60 FGH60N60SFD FGH60N60产品规格 参数 数据列表 FGH60N60SFD 产品相片 FGH60N60SFDTU 产品目录绘图 IGBT TO-247 Package 标准包装 150类别 分离式半导体产品家庭 IGBT - 单路系列 -IGBT 类型 场截止 电压 - 集电极发射极击穿（） 600V Vge, Ic时的Vce（开） 2.9V @ 15V, 60A 电流 - 集电极 (Ic)（） 120A 功率 - 378W 输入类型 标准型 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-247-3 供应商设备封装 TO-247 包装 管件 产品目录页面 1610 (CN2011-ZH PDF
