供应 场效应管IRFB4115原装进口
| 价 格： | 8.90 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 型号/规格： | IRFB4115 | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | CC/恒流 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | ALGaAS铝镓砷 |
IRFB4115
| IRFB4115PbF |
| TO-220-3, TO-220AB |
| IR Hexfet TO-220AB |
类别分离式半导体产品
家庭FET - 单
系列HEXFET®
FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)150V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C104A
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C11 毫欧 @ 62A, 10V
Id 时的 Vgs(th)（）5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs120nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds5270pF @ 50V
功率 - 380W
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3
供应商设备封装TO-220AB
包装
管件
产品目录页面1518 (CN2011-ZH PDF)
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
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供应 场效应管IRFR420原装进口
信息内容：数据列表 IRFR420, IRFU420 产品相片 TO-252 标准包装 3,000类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 -FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 500V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 2.4A 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 3 欧姆 @ 1.4A, 10V Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 19nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 360pF @ 25V 功率 - 2.5W 安装类型 表面贴装 封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63 供应商设备封装 D-Pak 包装 管件
供应 场效应管IRFB38N20DPBF原装进口
信息内容：类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 43A 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 54 毫欧 @ 26A, 10V Id 时的 Vgs(th)（） 5V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 91nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 2900pF @ 25V 功率 - 3.8W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件 产品目录页面 1518 (CN2011-ZH PDF) 其它名称 *IRFB38N20DPBF
