仙童场效应 MOS管 FGH60N60 FGH60N60SFTU 60N60SF
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | FAIRCHILD/仙童 | |
| 型号： | FGH60N60 FGH60N60SFTU 60N60SF | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | MOS-TPBM/三相桥 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | SENSEFET电流敏感 | |
| 开启电压： | 22（V） | |
| 夹断电压： | 22（V） | |
| 跨导： | 22（μS） | |
| 极间电容： | 2（pF） | |
| 低频噪声系数： | 22（dB） | |
| 漏极电流： | 22（mA） | |
| 耗散功率： | 22（mW） |
仙童原装 FGH60N60 FGH60N60SFTU 60N60SF
仙童原装 FGH60N60 FGH60N60SFTU 60N60SF
FGH60N60 FGH60N60SFTU 60N60SF产品规格 参数
数据列表 FGH60N60SF
产品相片 FGH60N60SFTU
产品目录绘图 IGBT TO-247 Package
标准包装 150
类别 分离式半导体产品
家庭 IGBT - 单路
系列 -
IGBT 类型 场截止
电压 - 集电极发射极击穿（） 600V
Vge, Ic时的Vce（开） 2.9V @ 15V, 60A
电流 - 集电极 (Ic)（） 120A
功率 - 378W
输入类型 标准型
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商设备封装 TO-247
包装 管件
产品目录页面 1610 (CN2011-ZH PDF
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【LED 恒流控制器应用】SPC6602 SPC6604 SPP4403 场效应管
信息内容：集成电路电子元器件IC产品图片dzsc/18/8663/18866314.jpg集成电路电子元器件IC产品产品广泛应用：主板，笔记型计算机，锂电池保护，LED/液晶显示器，VGA显卡，LCDmonitor,手携式产品，数字相框，卫星导航，遥控航模，电动车控制，电子书，数码相机,移动电源！等等！AOS美国万代: AO3400A AO3401A AO3402 AO3403 AO3407 A03409 AO3413 AO3414 AO3415 AO3416 AO3418 AO3422 AO4407A AO4403 AO4409 AO4411 AO4419 AO4435 AO4466 AO4468 AO4459 AO4606 AO4803A AO4828 AO4842 AO9926B AOD452AL AOD480 AOD484 AOD403 AOD464 AOD409 AOD407 AOD4132 AOZ1014AI AOZ1016AI日本松木: ME2301 ME2302 ME2305 ME2306 ME2307 ME2323D ME2312 ME2345A ME3587 ME4410A ME4411 ME4420 ME4420 ME4425 ME4435 ME4542 ME4936 ME4946 ME4953 ME75N80C ME15N10 ME90N03 ME90P03 ME60N03S ME70N03S ME80N75台湾擎力: SPP2301 SPN2302 SPP2303 SPN2304 SPP2305 SPN2308 SPP2309 SPN3400 SPP3401 SPN3402 SPP3403 SPN3406 SPP3407 SPP3413 SPN3414 ...
供应原装15N60 仙童场效应管
信息内容：dzsc/18/8664/18866474.jpg制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 Product Type: MOSFET Power 配置: Single 晶体管极性: N-Channel 封装 / 箱体: TO-220-3 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 330 m Ohms 汲极/源极击穿电压: 600 V 闸/源击穿电压: 3 V 漏极连续电流: 13.4 A 功率耗散: 34 W 工作温度: + 150 C 封装: Tube 最小工作温度: - 55 C "
