价 格: | 面议 | |
品牌: | SYNCPOWER | |
型号: | SPC6602 SPC6604 SPP4403 | |
种类: | 结型(JFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | MOS-HBM/半桥组件 | |
封装外形: | CHIP/小型片状 | |
材料: | GE-N-FET锗N沟道 | |
开启电压: | 22(V) | |
夹断电压: | 22(V) | |
跨导: | 22(μS) | |
极间电容: | 22(pF) | |
低频噪声系数: | 22(dB) | |
漏极电流: | 22(mA) | |
耗散功率: | 22(mW) |
集成电路电子元器件IC产品图片 |
dzsc/18/8663/18866314.jpg |
集成电路电子元器件IC产品 |
产品广泛应用: AOS美国万代: AO3400A AO3401A AO3402 AO3403 AO3407 A03409 日本松木: ME2301 ME2302 ME2305 ME2306 ME2307 ME2323D 台湾擎力: SPP2301 SPN2302 SPP2303 SPN2304 SPP2305 SPN2308 |
集成电路电子元器件IC产品质量 |
全新环保,散新翻新包测,质量问题包退换. |
联系方式 |
联系地址:广东省 深圳市福田区/汕头贵屿华美 联系电话:13410377061 传真号码:0755-82894329 腾讯QQ:838205202
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dzsc/18/8664/18866474.jpg制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 Product Type: MOSFET Power 配置: Single 晶体管极性: N-Channel 封装 / 箱体: TO-220-3 电阻汲极/源极 RDS(导通): 330 m Ohms 汲极/源极击穿电压: 600 V 闸/源击穿电压: 3 V 漏极连续电流: 13.4 A 功率耗散: 34 W 工作温度: + 150 C 封装: Tube 最小工作温度: - 55 C "
产品图片dzsc/18/8665/18866511.jpgdzsc/18/8665/18866511.jpgdzsc/18/8665/18866511.jpgdzsc/18/8665/18866511.jpg 效应管 MOS场效应管广泛应用于电池充电器,普通电源,逆变转换DC-AC、节能灯、智能开关电源、电池保护、MP3、MP4、机顶盒、电脑主板、显卡、遥控玩具、液晶等(DIP)场效应: 30V-80V:IRF3007PBF、IRLZ34NPBF、IRL3705NPBF、IRF3707ZPBF、ME75N80C、STK5007P、STK7575P 、STP80NS04ZB、STB80NF03L-04-1、IRF4104PBF、IPA028N08N3G、IPA100N08N3G、IPA037N08N3G、BUK7L11-34ARC、SPP30N03、SPP46N03、2SK3702JS、2SK2808、2SK3715、BUZ101S、FDP6030BL、FDP6035AL、HUFA75344S3、IRFU4104、KIA3205N、KIA50N06、KIA65N06、AOP600/P605/P607、2SK2541…等(DIP)场效应:100V-400V: SUP60N10-16L、LZP40N10、FKP202、FKP253、STK1625F、2SK4118LS、2SK4119LS、2SK2350、2SK2952、2SK3192、2SK4121LS、AP88N30W、HIRF730(F)、RDN150N20L02、IPA030N10N3G、FQP4N20L、STP8NS25、SUP60N10、IPP26CN10NG、IRL520NPBF、IRL2910PBF、IRFS654B、RDN150N20L02、IRFB52N15、PHP14NQ20T、IPI08CN10NG、IPI200N15N3G、IRFU222、STD2NB40-1…等(DIP)场效...