供应原装15N60 仙童场效应管
| 价 格： | 5.00 | |
| 品牌： | FREESCALE/飞思卡尔 | |
| 型号： | 15N60 | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | FM/调频 | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 材料： | GE-N-FET锗N沟道 | |
| 开启电压： | 原厂规格（V） | |
| 夹断电压： | 原厂规格（V） | |
| 低频跨导： | 原厂规格（μS） | |
| 极间电容： | 原厂规格（pF） | |
| 低频噪声系数： | 原厂规格（dB） | |
| 漏极电流： | 原厂规格（mA） | |
| 耗散功率： | 原厂规格（mW） |
dzsc/18/8664/18866474.jpg
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
Product Type: MOSFET Power
配置: Single
晶体管极性: N-Channel
封装 / 箱体: TO-220-3
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 330 m Ohms
汲极/源极击穿电压: 600 V
闸/源击穿电压: 3 V
漏极连续电流: 13.4 A
功率耗散: 34 W
工作温度: + 150 C
封装: Tube
最小工作温度: - 55 C
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 陈义伟
- 电话：
- 传真：
- 手机：
- QQ ：
深圳现货 优势 IRGIB7B60KD IR场效应管
信息内容：产品图片dzsc/18/8665/18866511.jpgdzsc/18/8665/18866511.jpgdzsc/18/8665/18866511.jpgdzsc/18/8665/18866511.jpg 效应管 MOS场效应管广泛应用于电池充电器，普通电源，逆变转换DC-AC、节能灯、智能开关电源、电池保护、MP3、MP4、机顶盒、电脑主板、显卡、遥控玩具、液晶等（DIP）场效应： 30V-80V：IRF3007PBF、IRLZ34NPBF、IRL3705NPBF、IRF3707ZPBF、ME75N80C、STK5007P、STK7575P 、STP80NS04ZB、STB80NF03L-04-1、IRF4104PBF、IPA028N08N3G、IPA100N08N3G、IPA037N08N3G、BUK7L11-34ARC、SPP30N03、SPP46N03、2SK3702JS、2SK2808、2SK3715、BUZ101S、FDP6030BL、FDP6035AL、HUFA75344S3、IRFU4104、KIA3205N、KIA50N06、KIA65N06、AOP600/P605/P607、2SK2541…等（DIP）场效应：100V-400V: SUP60N10-16L、LZP40N10、FKP202、FKP253、STK1625F、2SK4118LS、2SK4119LS、2SK2350、2SK2952、2SK3192、2SK4121LS、AP88N30W、HIRF730(F)、RDN150N20L02、IPA030N10N3G、FQP4N20L、STP8NS25、SUP60N10、IPP26CN10NG、IRL520NPBF、IRL2910PBF、IRFS654B、RDN150N20L02、IRFB52N15、PHP14NQ20T、IPI08CN10NG、IPI200N15N3G、IRFU222、STD2NB40-1…等（DIP）场效...
专营仙童场效应管FQP9N50C
信息内容：制造商: Fairchild Semiconductor 产品种类: MOSFET 功率 RoHS: 详细信息 配置: Single 晶体管极性: N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.8 Ohms 正向跨导 gFS（值/最小值） : 6.5 S 汲极/源极击穿电压: 500 V 闸/源击穿电压: +/- 30 V 漏极连续电流: 9 A 功率耗散: 135 W 工作温度: + 150 C 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-220 封装: Tube 最小工作温度: - 55 C 零件号别名: FQP9N50C_NL
