供应 光耦IRFD9120PBF原装进口
| 价 格： | 2.10 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 型号/规格： | IRFD9120PBF | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | MIX/混频 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | ALGaAS铝镓砷 |
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 -
FET 型 MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点 标准型
漏极至源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 1A
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 600 毫欧 @ 600mA, 10V
Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 18nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 390pF @ 25V
功率 - 1.3W
安装类型 通孔
封装/外壳 4-DIP（0.300", 7.62mm）
供应商设备封装 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
包装 管件
产品目录页面 1528 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 *IRFD9120PBF
| dzsc/18/8661/18866155.jpg |
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 苏志远
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供应 场效应管IRFB4115原装进口
信息内容：IRFB4115 数据列表IRFB4115PbF产品相片TO-220-3, TO-220AB产品目录绘图IR Hexfet TO-220AB 类别分离式半导体产品 家庭FET - 单 系列HEXFET® FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点标准型 漏极至源极电压(Vdss)150V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C104A 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C11 毫欧 @ 62A, 10V Id 时的 Vgs(th)（）5V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs120nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds5270pF @ 50V 功率 - 380W 安装类型通孔 封装/外壳TO-220-3 供应商设备封装TO-220AB 包装 管件 产品目录页面1518 (CN2011-ZH PDF)
供应 场效应管IRFR420原装进口
信息内容：数据列表 IRFR420, IRFU420 产品相片 TO-252 标准包装 3,000类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 -FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 500V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 2.4A 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 3 欧姆 @ 1.4A, 10V Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 19nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 360pF @ 25V 功率 - 2.5W 安装类型 表面贴装 封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63 供应商设备封装 D-Pak 包装 管件
