供应 IC 芯片IRFB4310ZPBF原装进口
| 价 格： | 5.32 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 型号/规格： | IRFB4310ZPBF | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | MIX/混频 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | ALGaAS铝镓砷 |
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准型
漏极至源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 120A
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 6 毫欧 @ 75A, 10V
Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 150µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 170nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 6860pF @ 50V
功率 - 250W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商设备封装 TO-220AB
包装 管件
产品目录页面 1518 (CN2011-ZH PDF
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管IRFZ48V原装进口
信息内容：场效应管 MOSFET N TO-220 60V 72A晶体管极性:ñ频道电流, Id 连续:72A电压, Vds :60V在电阻RDS（上）:12mohm电压 @ Rds测量:10V阈值电压, Vgs th 典型值:4V功耗, Pd:150W封装类型:TO-220AB针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (19-Dec-2011)功率, Pd:150W功耗:150W封装类型:TO-220AB漏极电流, Id 值:72A热阻, 结至外壳 A:1°C/W电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds 典型值:60V电压, Vgs :4V电流, Idm 脉冲:290A表面安装器件:通孔安装阈值电压, Vgs th :4V
供应 场效应管IRFB3207原装进口
信息内容：场效应管 MOSFET N 75V TO-220AB晶体管极性:ñ频道电流, Id 连续:170A电压, Vds :75V在电阻RDS（上）:4.1mohm电压 @ Rds测量:10V阈值电压, Vgs th 典型值:4V功耗, Pd:300W工作温度范围:-55°C 到 +175°C封装类型:TO-220AB针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (19-Dec-2011)功率, Pd:300W功耗:300mW器件标号:3207封装类型:TO-220AB栅极电荷 Qg N沟道:120nC漏极电流, Id 值:120A电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds 典型值:75V电压, Vgs :20V电流, Idm 脉冲:670A表面安装器件:通孔安装阈值电压, Vgs th :2V阈值电压, Vgs th :4V
