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供应 场效应管IRFZ48V原装进口

价 格: 2.30
品牌/商标:IR/国际整流器
型号/规格:IRFZ48V
种类:结型(JFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:耗尽型
用途:MOS-INM/独立组件
封装外形:LLCC/无引线陶瓷片载
材料:MES金属半导体

场效应管 MOSFET N TO-220 60V 72A

  • 晶体管极性:ñ频道
  • 电流, Id 连续:72A
  • 电压, Vds :60V
  • 在电阻RDS(上):12mohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
  • 功耗, Pd:150W
  • 封装类型:TO-220AB
  • 针脚数:3
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (19-Dec-2011)
  • 功率, Pd:150W
  • 功耗:150W
  • 封装类型:TO-220AB
  • 漏极电流, Id 值:72A
  • 热阻, 结至外壳 A:1°C/W
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:60V
  • 电压, Vgs :4V
  • 电流, Idm 脉冲:290A
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 阈值电压, Vgs th :4V
 

结型场效应管 深圳市耿城科技有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 苏志远
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信息内容:

场效应管 MOSFET N 75V TO-220AB晶体管极性:ñ频道电流, Id 连续:170A电压, Vds :75V在电阻RDS(上):4.1mohm电压 @ Rds测量:10V阈值电压, Vgs th 典型值:4V功耗, Pd:300W工作温度范围:-55°C 到 +175°C封装类型:TO-220AB针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (19-Dec-2011)功率, Pd:300W功耗:300mW器件标号:3207封装类型:TO-220AB栅极电荷 Qg N沟道:120nC漏极电流, Id 值:120A电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds 典型值:75V电压, Vgs :20V电流, Idm 脉冲:670A表面安装器件:通孔安装阈值电压, Vgs th :2V阈值电压, Vgs th :4V

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信息内容:

类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 55V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 42A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 20 毫欧 @ 42A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 180nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 3500pF @ 25V 功率 - 170W 安装类型 表面贴装 封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB 供应商设备封装 D2PAK 包装 管件 "

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