| 价 格: | 2.30 | |
| 品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
| 型号/规格: | IRFZ48V | |
| 种类: | 结型(JFET) | |
| 沟道类型: | N沟道 | |
| 导电方式: | 耗尽型 | |
| 用途: | MOS-INM/独立组件 | |
| 封装外形: | LLCC/无引线陶瓷片载 | |
| 材料: | MES金属半导体 |
场效应管 MOSFET N TO-220 60V 72A
场效应管 MOSFET N 75V TO-220AB晶体管极性:ñ频道电流, Id 连续:170A电压, Vds :75V在电阻RDS(上):4.1mohm电压 @ Rds测量:10V阈值电压, Vgs th 典型值:4V功耗, Pd:300W工作温度范围:-55°C 到 +175°C封装类型:TO-220AB针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (19-Dec-2011)功率, Pd:300W功耗:300mW器件标号:3207封装类型:TO-220AB栅极电荷 Qg N沟道:120nC漏极电流, Id 值:120A电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds 典型值:75V电压, Vgs :20V电流, Idm 脉冲:670A表面安装器件:通孔安装阈值电压, Vgs th :2V阈值电压, Vgs th :4V
类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 55V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 42A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 20 毫欧 @ 42A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 180nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 3500pF @ 25V 功率 - 170W 安装类型 表面贴装 封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB 供应商设备封装 D2PAK 包装 管件 "