供应 场效应管IRFB3207原装进口
| 价 格： | 9.00 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 型号/规格： | IRFB3207 | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | AM/调幅 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | GaAS-FET砷化镓 |
场效应管 MOSFET N 75V TO-220AB
- 晶体管极性:ñ频道
- 电流, Id 连续:170A
- 电压, Vds :75V
- 在电阻RDS（上）:4.1mohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
- 功耗, Pd:300W
- 工作温度范围:-55°C 到 +175°C
- 封装类型:TO-220AB
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (19-Dec-2011)
- 功率, Pd:300W
- 功耗:300mW
- 器件标号:3207
- 封装类型:TO-220AB
- 栅极电荷 Qg N沟道:120nC
- 漏极电流, Id 值:120A
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:75V
- 电压, Vgs :20V
- 电流, Idm 脉冲:670A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th :2V
- 阈值电压, Vgs th :4V
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 苏志远
- 电话：
- 传真：
- 手机：
- QQ ：
供应 IC 芯片IRF4905S原装进口
信息内容：类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 55V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 42A 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 20 毫欧 @ 42A, 10V Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 180nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 3500pF @ 25V 功率 - 170W 安装类型 表面贴装 封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB 供应商设备封装 D2PAK 包装 管件 "
供应 场效应管IRFR024N原装进口
信息内容：场效应管 MOSFET N D-PAK 55V 16A晶体管极性:ñ频道电流, Id 连续:16A电压, Vds :55V在电阻RDS（上）:70mohm电压 @ Rds测量:10V阈值电压, Vgs th 典型值:4V功耗, Pd:38W封装类型:D-PAK针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (19-Dec-2011)SMD标号:IRFR024N功率, Pd:38W功耗:38W外宽:6.8mm外部深度:10.5mm外部长度/高度:2.55mm封装类型:DPAK封装类型, 替代:D-PAK晶体管数:1温度 @ 电流测量:25°C满功率温度:25°C漏极电流, Id 值:17A热阻, 结至外壳 A:3.3°C/W电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds 典型值:55V电压, Vgs :4V电流, Idm 脉冲:68A表面安装器件:表面安装
