价 格: | 1.80 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
型号/规格: | IRFR024N | |
种类: | 结型(JFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 耗尽型 | |
用途: | D/变频换流 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
材料: | GaAS-FET砷化镓 |
场效应管 MOSFET N D-PAK 55V 16A
类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 STripFET™FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 50A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 18 毫欧 @ 27.5A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 60nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 1300pF @ 25V 功率 - 110W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件 产品目录页面 1540 (CN2011-ZH PDF) 其它名称 497-2777-5"
类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 -FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 800V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 5.4A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 2 欧姆 @ 3.2A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 130nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 1900pF @ 25V 功率 - 150W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-247-3 供应商设备封装 TO-247-3 包装 管件 其它名称 *IRFPE40PBF