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供应 场效应管IRFR024N原装进口

价 格: 1.80
品牌/商标:IR/国际整流器
型号/规格:IRFR024N
种类:结型(JFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:耗尽型
用途:D/变频换流
封装外形:SMD(SO)/表面封装
材料:GaAS-FET砷化镓

场效应管 MOSFET N D-PAK 55V 16A

  • 晶体管极性:ñ频道
  • 电流, Id 连续:16A
  • 电压, Vds :55V
  • 在电阻RDS(上):70mohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
  • 功耗, Pd:38W
  • 封装类型:D-PAK
  • 针脚数:3
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (19-Dec-2011)
  • SMD标号:IRFR024N
  • 功率, Pd:38W
  • 功耗:38W
  • 外宽:6.8mm
  • 外部深度:10.5mm
  • 外部长度/高度:2.55mm
  • 封装类型:DPAK
  • 封装类型, 替代:D-PAK
  • 晶体管数:1
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 满功率温度:25°C
  • 漏极电流, Id 值:17A
  • 热阻, 结至外壳 A:3.3°C/W
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:55V
  • 电压, Vgs :4V
  • 电流, Idm 脉冲:68A
  • 表面安装器件:表面安装

结型场效应管 深圳市耿城科技有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 苏志远
  • 电话:
  • 传真:
  • 手机:
  • QQ :
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供应 场效应管STP55NF06原装进口

信息内容:

类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 STripFET™FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 50A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 18 毫欧 @ 27.5A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 60nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 1300pF @ 25V 功率 - 110W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件 产品目录页面 1540 (CN2011-ZH PDF) 其它名称 497-2777-5"

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供应 场效应管 IRFPE40原装进口

信息内容:

类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 -FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 800V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 5.4A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 2 欧姆 @ 3.2A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 130nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 1900pF @ 25V 功率 - 150W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-247-3 供应商设备封装 TO-247-3 包装 管件 其它名称 *IRFPE40PBF

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